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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS84PH6327XTSA1-ND
别名：BSS84P H6327
BSS84P H6327-ND
SP000702496
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF LDMOS 60W H37265-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 760MHz 19.5dB 60W H-37265-2
型号：
PTFA070601FV4XWSA1
仓库库存编号：
PTFA070601FV4XWSA1-ND
别名：PTFA070601F V4
PTFA070601F V4-ND
SP000641272
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF LDMOS 170W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 765MHz 18.7dB 150W H-37248-2
型号：
PTFA071701FV4XWSA1
仓库库存编号：
PTFA071701FV4XWSA1-ND
别名：PTFA071701F V4
PTFA071701F V4-ND
SP000707914
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 150W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-37248-2
型号：
PTFB191501FV1XWSA1
仓库库存编号：
PTFB191501FV1XWSA1TR-ND
别名：PTFB191501F V1
PTFB191501F V1-ND
SP000695472
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31HXKSA1
仓库库存编号：
BUZ31HXKSA1-ND
别名：BUZ31 H
BUZ31 H-ND
BUZ31H
SP000682992
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31L H
仓库库存编号：
BUZ31L H-ND
别名：BUZ31LH
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73HXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73HXKSA1-ND
别名：BUZ73 H
BUZ73 H-ND
BUZ73H
SP000683000
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73H3046XKSA1
仓库库存编号：
BUZ73H3046XKSA1-ND
别名：BUZ73 H3046
BUZ73 H3046-ND
BUZ73H3046
SP000683002
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A H
仓库库存编号：
BUZ73A H-ND
别名：BUZ73AH
BUZ73AHXKSA1
SP000683004
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A H3046
仓库库存编号：
BUZ73A H3046-ND
别名：BUZ73AH3046
BUZ73AH3046XKSA1
SP000683006
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73ALHXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73ALHXKSA1-ND
别名：BUZ73AL H
BUZ73AL H-ND
BUZ73ALH
SP000683012
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73LHXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73LHXKSA1-ND
别名：BUZ73L H
BUZ73L H-ND
SP000683014
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO247HC
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 5A（DC） PG-TO247HC-3
型号：
IDY10S120XKSA1
仓库库存编号：
IDY10S120XKSA1-ND
别名：IDY10S120
IDY10S120-ND
SP000797646
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A TO247
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 7.5A（DC） PG-TO247HC-3
型号：
IDY15S120XKSA1
仓库库存编号：
IDY15S120XKSA1-ND
别名：IDY15S120
IDY15S120-ND
SP000797648
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 18A 43W TO220-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 18A 43W Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack
型号：
IGA30N60H3XKSA1
仓库库存编号：
IGA30N60H3XKSA1-ND
别名：IGA30N60H3
IGA30N60H3-ND
SP000853272
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1350V 40A 310W TO247HC-3
详细描述：IGBT Trench 1350V 40A 310W Through Hole PG-TO247HC-3
型号：
IHY20N135R3XKSA1
仓库库存编号：
IHY20N135R3XKSA1-ND
别名：IHY20N135R3
IHY20N135R3-ND
SP000752728
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3
详细描述：IGBT NPT 1600V 60A 312W Through Hole PG-TO247HC-3
型号：
IHY30N160R2XKSA1
仓库库存编号：
IHY30N160R2XKSA1-ND
别名：IHY30N160R2
IHY30N160R2-ND
SP000678770
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N04S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N04S402AKSA1-ND
别名：IPP120N04S4-02
IPP120N04S4-02-ND
SP000764734
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90N04S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP90N04S402AKSA1-ND
别名：IPP90N04S4-02
IPP90N04S4-02-ND
SP000646200
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 36A 178W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 36A 178W Through Hole PG-TO220-3-1
型号：
SGP20N60HSXKSA1
仓库库存编号：
SGP20N60HSXKSA1-ND
别名：SGP20N60HS
SGP20N60HS-ND
SP000683128
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 120V 1.3GHZ NI-780
详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 22.7dB 250W NI-780
型号：
MRF6V13250HR3
仓库库存编号：
MRF6V13250HR3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 22.7dB 250W NI-780S
型号：
MRF6V13250HSR3
仓库库存编号：
MRF6V13250HSR3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 150mA 2.17GHz 14.4dB 16W NI-780-4
型号：
MRF8HP21080HR5
仓库库存编号：
MRF8HP21080HR5-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 360mA 2.17GHz 14dB 28W NI-780-4
型号：
MRF8HP21130HR3
仓库库存编号：
MRF8HP21130HR3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 360mA 2.17GHz 14dB 28W NI-780-4
型号：
MRF8HP21130HR5
仓库库存编号：
MRF8HP21130HR5-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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