产品分类：分立半导体产品,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），35A（Tc） 3.2W（Ta），27W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8337TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8337TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8337TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta），15A（Tc） 2.1W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2）
型号：
IRLHS2242TR2PBF
仓库库存编号：
IRLHS2242TR2PBFCT-ND
别名：IRLHS2242TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6
型号：
BLF6G27LS-50BN,112
仓库库存编号：
BLF6G27LS-50BN,112-ND
别名：934064687112
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y08-40B/C,115
仓库库存编号：
BUK7Y08-40B/C,115-ND
别名：934064767115
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35.3A（Tc） 59.4W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y25-40B/C,115
仓库库存编号：
BUK7Y25-40B/C,115-ND
别名：934064769115
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6
型号：
BLF6G27LS-50BN,118
仓库库存编号：
BLF6G27LS-50BN,118-ND
别名：934064687118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK663R5-55C,118
仓库库存编号：
1727-5523-1-ND
别名：1727-5523-1
568-7002-1
568-7002-1-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230S
型号：
MRFE6VP8600HSR6
仓库库存编号：
MRFE6VP8600HSR6-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANSISTOR CDFM6
详细描述：RF Mosfet CDFM6
型号：
BLF8G22L-160BV,112
仓库库存编号：
BLF8G22L-160BV,112-ND
别名：934065899112
BLF8G22L-160BV112
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANSISTOR CDFM6
详细描述：RF Mosfet CDFM6
型号：
BLF8G22L-160BV,118
仓库库存编号：
BLF8G22L-160BV,118-ND
别名：934065899118
BLF8G22L-160BV118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35.2A （Tc） 48.4W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN013-100XS,127
仓库库存编号：
568-9499-5-ND
别名：568-9499-5
934066044127
PSMN013-100XS,127-ND
PSMN013-100XS127
PSMN013100XS127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 32.1A（Tc） 46.1W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN016-100XS,127
仓库库存编号：
568-9500-5-ND
别名：568-9500-5
934066045127
PSMN016-100XS,127-ND
PSMN016-100XS127
PSMN016100XS127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67.5A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN5R0-100XS,127
仓库库存编号：
568-9760-5-ND
别名：568-9760-5
934066039127
PSMN5R0-100XS,127-ND
PSMN5R0-100XS127
PSMN5R0100XS127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 61.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN5R6-100XS,127
仓库库存编号：
568-9496-5-ND
别名：568-9496-5
934066041127
PSMN5R6-100XS,127-ND
PSMN5R6-100XS127
PSMN5R6100XS127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 57.7W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN7R0-100XS,127
仓库库存编号：
568-9497-5-ND
别名：934066042127
PSMN7R0-100XS,127-ND
PSMN7R0-100XS127
PSMN7R0100XS127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 44.2A（Tc） 52.6W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN9R5-100XS,127
仓库库存编号：
568-9498-5-ND
别名：568-9498-5
934066043127
PSMN9R5-100XS,127-ND
PSMN9R5-100XS127
PSMN9R5100XS127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 60W H37265-3
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 760MHz 19.5dB 60W H-37265-2
型号：
PTFA070601FV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA070601FV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA070601F V4 R250
PTFA070601F V4 R250-ND
SP000641274
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 170W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 765MHz 18.7dB 150W H-37248-2
型号：
PTFA071701FV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA071701FV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA071701F V4 R250
PTFA071701F V4 R250-ND
SP000707916
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF LDMOS 150W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-37248-2
型号：
PTFB191501FV1R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFB191501FV1R250XTMA1TR-ND
别名：PTFB191501F V1 R250
PTFB191501F V1 R250-ND
SP000695474
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 45A（Tc） 45W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N04S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
别名：IPB45N04S4L-08
IPB45N04S4L-08-ND
SP000711444
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD100N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SKB06N60ATMA1
仓库库存编号：
SKB06N60ATMA1TR-ND
别名：SKB06N60
SKB06N60-ND
SP000012427
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SCD-80
型号：
BB565H7912XTSA1
仓库库存编号：
BB565H7912XTSA1TR-ND
别名：BB 565 H7912
BB 565 H7912-ND
SP000842826
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SCD-80
型号：
BB689H7912XTSA1
仓库库存编号：
BB689H7912XTSA1TR-ND
别名：BB 689 H7912
BB 689 H7912-ND
SP000842828
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
BSL308CL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL308CL6327HTSA1TR-ND
别名：BSL308C L6327
BSL308C L6327-ND
SP000473910
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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