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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9392PBF
仓库库存编号:
IRF9392PBF-ND
别名:SP001577592
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3607GPBF
仓库库存编号:
IRFB3607GPBF-ND
别名:SP001577820
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
详细描述:MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
型号:
IRFI4121H-117P
仓库库存编号:
IRFI4121H-117P-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4066-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4066-EPBF-ND
别名:SP001540800
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 5GHZ SOT323
详细描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
型号:
BFR94AW,115
仓库库存编号:
BFR94AW,115-ND
别名:934064959115
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 17W SOT896B, DFM2
型号:
BLC6G22LS-75,112
仓库库存编号:
BLC6G22LS-75,112-ND
别名:934061298112
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK6507-55C,127
仓库库存编号:
568-7487-5-ND
别名:568-7487-5
934064253127
BUK6507-55C,127-ND
BUK650755C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 77A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK6510-75C,127
仓库库存编号:
568-7489-5-ND
别名:568-7489-5
934064248127
BUK6510-75C,127-ND
BUK651075C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R2-55C,127
仓库库存编号:
568-7495-5-ND
别名:568-7495-5
934064468127
BUK653R2-55C,127-ND
BUK653R255C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R4-40C,127
仓库库存编号:
568-7496-5-ND
别名:568-7496-5
934064252127
BUK653R4-40C,127-ND
BUK653R440C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R5-55C,127
仓库库存编号:
568-7497-5-ND
别名:568-7497-5
934064238127
BUK653R5-55C,127-ND
BUK653R555C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R7-30C,127
仓库库存编号:
568-7498-5-ND
别名:568-7498-5
934064244127
BUK653R7-30C,127-ND
BUK653R730C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK654R0-75C,127
仓库库存编号:
568-7499-5-ND
别名:568-7499-5
934064237127
BUK654R0-75C,127-ND
BUK654R075C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK654R6-55C,127
仓库库存编号:
568-7500-5-ND
别名:568-7500-5
934064246127
BUK654R6-55C,127-ND
BUK654R655C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK655R0-75C,127
仓库库存编号:
568-7502-5-ND
别名:568-7502-5
934064245127
BUK655R0-75C,127-ND
BUK655R075C127
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 22A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),105W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5204TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5204TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5204TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 5A(Ta),27A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5215TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5215TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5215TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.8A(Ta),20A(Tc) 3.6W(Ta),8.3W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5220TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5220TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5220TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 10A(Ta),12A(Tc) 1.98W(Ta),9.6W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRLHS6242TR2PBF
仓库库存编号:
IRLHS6242TR2PBFCT-ND
别名:IRLHS6242TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.7A(Ta),19A(Tc) 2.1W(Ta) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRLHS6342TR2PBF
仓库库存编号:
IRLHS6342TR2PBFCT-ND
别名:IRLHS6342TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
型号:
IRLHS6376TR2PBF
仓库库存编号:
IRLHS6376TR2PBFCT-ND
别名:IRLHS6376TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),120A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8318TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8318TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8318TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8325TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8325TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8325TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta),56A(Tc) 3.3W(Ta),35W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8330TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8330TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8330TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),44A(Tc) 3.2W(Ta),30W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8334TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8334TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8334TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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