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Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6
型号：
BG5412KH6327XTSA1
仓库库存编号：
BG5412KH6327XTSA1TR-ND
别名：BG 5412K H6327
BG 5412K H6327-ND
SP000753502
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS RF NPN 5V 12MA SOT343
详细描述：RF Transistor NPN 5V 12mA 50mW Surface Mount PG-SOT343-4
型号：
BGR405H6327XTSA1
仓库库存编号：
BGR405H6327XTSA1TR-ND
别名：BGR 405 H6327
BGR 405 H6327-ND
SP000750466
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB019N03LX G
仓库库存编号：
BSB019N03LX G-ND
别名：SP000597826
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB024N03LX G
仓库库存编号：
BSB024N03LX G-ND
别名：SP000597838
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB053N03LP G
仓库库存编号：
BSB053N03LP G-ND
别名：SP000597830
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD840N L6327
仓库库存编号：
BSD840N L6327-ND
别名：SP000464874
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF053N03LT G
仓库库存编号：
BSF053N03LT G-ND
别名：SP000597832
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF083N03LQ G
仓库库存编号：
BSF083N03LQ G-ND
别名：SP000597834
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL314PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL314PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSL314PE L6327
BSL314PE L6327-ND
SP000473004
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP50H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP50H6327XTSA1-ND
别名：BSP 50 H6327
BSP 50 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP51H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP51H6327XTSA1-ND
别名：BSP 51 H6327
BSP 51 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP52H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP52H6327XTSA1-ND
别名：BSP 52 H6327
BSP 52 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP60H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP60H6327XTSA1-ND
别名：BSP 60 H6327
BSP 60 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP61H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP61H6327XTSA1-ND
别名：BSP 61 H6327
BSP 61 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP62H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP62H6327XTSA1-ND
别名：BSP 62 H6327
BSP 62 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA1-ND
别名：BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS159NH6327XTSA1-ND
别名：BSS159N H6327
BSS159N H6327-ND
SP000639076
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS314PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS314PE L6327
BSS314PE L6327-ND
SP000473000
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS806NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS806NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS806N L6327
BSS806N L6327-ND
SP000464848
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS816NW L6327
仓库库存编号：
BSS816NW L6327-ND
别名：SP000464852
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83P L6327-ND
别名：BSS83P L6327
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 19.3A（DC） PG-TO263-3
型号：
IDB09E60ATMA1
仓库库存编号：
IDB09E60ATMA1TR-ND
别名：IDB09E60
IDB09E60-ND
SP000013914
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A（DC） PG-TO263-3
型号：
IDB15E60
仓库库存编号：
IDB15E60-ND
别名：SP000278565
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 31A（DC） PG-TO263-3
型号：
IDB18E120ATMA1
仓库库存编号：
IDB18E120ATMA1TR-ND
别名：IDB18E120
IDB18E120-ND
SP000013919
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 71A（DC） PG-TO263-3
型号：
IDB45E60ATMA1
仓库库存编号：
IDB45E60ATMA1TR-ND
别名：IDB45E60
IDB45E60-ND
SP000013635
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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