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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 1.99GHz 17.2dB 50W NI-880S
型号:
MRF7S19170HSR5
仓库库存编号:
MRF7S19170HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 20GHZ SOT343F
详细描述:RF Transistor NPN 2.8V 40mA 70GHz 136mW Surface Mount 4-DFP
型号:
BFU725F,115
仓库库存编号:
BFU725F,115-ND
别名:934061142115
BFU725F T/R
BFU725F T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B
型号:
BLF6G10LS-200,112
仓库库存编号:
BLF6G10LS-200,112-ND
别名:934060895112
BLF6G10LS-200
BLF6G10LS-200-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B
型号:
BLF6G10LS-200,118
仓库库存编号:
BLF6G10LS-200,118-ND
别名:934060895118
BLF6G10LS-200 /T3
BLF6G10LS-200 /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
详细描述:JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
型号:
J174,126
仓库库存编号:
J174,126-ND
别名:934005290126
J174 AMO
J174 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
详细描述:JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
型号:
J176,126
仓库库存编号:
J176,126-ND
别名:934005310126
J176 AMO
J176 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PBRN113EK,115
仓库库存编号:
PBRN113EK,115-ND
别名:934058955115
PBRN113EK T/R
PBRN113EK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRN113ES,126
仓库库存编号:
PBRN113ES,126-ND
别名:934058999126
PBRN113ES AMO
PBRN113ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PBRN113ZK,115
仓库库存编号:
PBRN113ZK,115-ND
别名:934058959115
PBRN113ZK T/R
PBRN113ZK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRN113ZS,126
仓库库存编号:
PBRN113ZS,126-ND
别名:934059136126
PBRN113ZS AMO
PBRN113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PBRN123EK,115
仓库库存编号:
PBRN123EK,115-ND
别名:934058958115
PBRN123EK T/R
PBRN123EK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRN123ES,126
仓库库存编号:
PBRN123ES,126-ND
别名:934059134126
PBRN123ES AMO
PBRN123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PBRN123YK,115
仓库库存编号:
PBRN123YK,115-ND
别名:934058962115
PBRN123YK T/R
PBRN123YK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRN123YS,126
仓库库存编号:
PBRN123YS,126-ND
别名:934059138126
PBRN123YS AMO
PBRN123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRP113ES,126
仓库库存编号:
PBRP113ES,126-ND
别名:934059135126
PBRP113ES AMO
PBRP113ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRP113ZS,126
仓库库存编号:
PBRP113ZS,126-ND
别名:934059137126
PBRP113ZS AMO
PBRP113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRP123ES,126
仓库库存编号:
PBRP123ES,126-ND
别名:934059133126
PBRP123ES AMO
PBRP123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBRP123YS,126
仓库库存编号:
PBRP123YS,126-ND
别名:934059139126
PBRP123YS AMO
PBRP123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA113EK,115
仓库库存编号:
PDTA113EK,115-ND
别名:934058836115
PDTA113EK T/R
PDTA113EK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA113ES,126
仓库库存编号:
PDTA113ES,126-ND
别名:934058783126
PDTA113ES AMO
PDTA113ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA113ZK,115
仓库库存编号:
PDTA113ZK,115-ND
别名:934058835115
PDTA113ZK T/R
PDTA113ZK T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA113ZS,126
仓库库存编号:
PDTA113ZS,126-ND
别名:934058782126
PDTA113ZS AMO
PDTA113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA114YS,126
仓库库存编号:
PDTA114YS,126-ND
别名:934057576126
PDTA114YS AMO
PDTA114YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PDTA115ES,126
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PDTA115ES,126-ND
别名:934058152126
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TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
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PDTA115TS,126
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PDTA115TS,126-ND
别名:934058778126
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