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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 16.5dB 10W PG-RFP-10
型号：
PTF180101M V1
仓库库存编号：
PTF180101M V1-ND
别名：PTF180101MV1XT
SP000076951
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 19dB 10W H-32259-2
型号：
PTF180101S V1
仓库库存编号：
PTF180101S V1-ND
别名：F180101SV1XT
PTF180101SV1XT
SP000009989
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 2.17GHz 15dB 10W PG-RFP-10
型号：
PTF210101M V1
仓库库存编号：
PTF210101M V1-ND
别名：PTF210101MV1XT
SP000076952
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 2.68GHz 16dB 10W H-32259-2
型号：
PTF240101S V1
仓库库存编号：
PTF240101S V1-ND
别名：F240101SV1XT
PTF240101SV1XT
SP000082764
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 2.48GHz 14dB 45W H-30265-2
型号：
PTFA240451E V1
仓库库存编号：
PTFA240451E V1-ND
别名：FA240451EV1XP
PTFA240451EV1X
SP000063673
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 2.42GHz 14dB 130W H-30260-2
型号：
PTFA241301E V1
仓库库存编号：
PTFA241301E V1-ND
别名：FA241301EV1XP
PTFA241301EV1X
SP000082766
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.68GHz 15dB 45W H-30265-2
型号：
PTFA260451E V1
仓库库存编号：
PTFA260451E V1-ND
别名：FA260451EV1XP
PTFA260451EV1X
SP000063672
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.68GHz 13.5dB 130W H-30260-2
型号：
PTFA261301E V1
仓库库存编号：
PTFA261301E V1-ND
别名：FA261301EV1XP
PTFA261301EV1X
SP000086852
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
PZTA14E6327HTSA1
仓库库存编号：
PZTA14E6327HTSA1TR-ND
别名：PZTA 14 E6327
PZTA 14 E6327-ND
PZTA14E6327BTSA1
PZTA14E6327XT
SP000010688
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 70MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
PZTA42E6327HTSA1
仓库库存编号：
PZTA42E6327HTSA1TR-ND
别名：PZTA 42 E6327
PZTA 42 E6327-ND
PZTA42E6327BTSA1
PZTA42E6327XT
SP000014780
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 100MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
PZTA92E6433HTMA1
仓库库存编号：
PZTA92E6433HTMA1TR-ND
别名：PZTA 92 E6433
PZTA 92 E6433-ND
PZTA92E6433BTMA1
PZTA92E6433T
PZTA92E6433XT
SP000011009
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE VARACTOR RF SOD-323
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
型号：
SD 199 E6327
仓库库存编号：
SD 199 E6327-ND
别名：SD199E6327XT
SP000010409
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） D2PAK
型号：
SDB06S60
仓库库存编号：
SDB06S60-ND
别名：SDB06S60T
SDB06S60XT
SP000013624
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号：
SDB20S30
仓库库存编号：
SDB20S30-ND
别名：SDB20S30T
SDB20S30XT
SP000013514
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 4A（DC） P-TO252-3
型号：
SDD04S60
仓库库存编号：
SDD04S60-ND
别名：SDD04S60XT
SP000077602
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-3
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 300V 10A（DC） PG-TO220-3
型号：
SDP10S30
仓库库存编号：
SDP10S30-ND
别名：SDP10S30X
SDP10S30XK
SP000013359
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 5A（DC） PG-TO220-2
型号：
SDT05S60
仓库库存编号：
SDT05S60-ND
别名：SDT05S60X
SDT05S60XK
SP000014671
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 8A（DC） PG-TO220-2
型号：
SDT08S60
仓库库存编号：
SDT08S60-ND
别名：SDT08S60X
SDT08S60XK
SP000014897
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 10A（DC） PG-TO220-2
型号：
SDT10S60
仓库库存编号：
SDT10S60-ND
别名：SDT10S60X
SDT10S60XK
SP000014896
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 600mA（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC01D120H6
仓库库存编号：
SIDC01D120H6-ND
别名：SP000013831
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 带箔切割晶片
型号：
SIDC01D60C6
仓库库存编号：
SIDC01D60C6-ND
别名：SP000017746
产品分类：分立半导体产品,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC02D60C6
仓库库存编号：
SIDC02D60C6-ND
别名：SP000014997
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 3A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC02D60F6
仓库库存编号：
SIDC02D60F6-ND
别名：SP000013788
产品分类：分立半导体产品,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 2A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC03D120F6
仓库库存编号：
SIDC03D120F6-ND
别名：SP000013476
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 3A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC03D120H6
仓库库存编号：
SIDC03D120H6-ND
别名：SP000013218
产品分类：分立半导体产品,
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