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NXP USA Inc.
FET RF 68V 880MHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 880MHz 20.9dB 35W NI-780S
型号:
MRF6S9160HSR3
仓库库存编号:
MRF6S9160HSR3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 68V 880MHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 880MHz 20.9dB 35W NI-780S
型号:
MRF6S9160HSR5
仓库库存编号:
MRF6S9160HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.5dB 29W TO-272 WB-4
型号:
MRF7S19100NBR1
仓库库存编号:
MRF7S19100NBR1-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ TO270-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.5dB 29W TO-270 WB-4
型号:
MRF7S19100NR1
仓库库存编号:
MRF7S19100NR1-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 960MHZ 16-PFP
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 25mA 960MHz 18dB 37dBm 16-PFP
型号:
MRF9002NR2
仓库库存编号:
MRF9002NR2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003M6R5
仓库库存编号:
MRFG35003M6R5-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003M6T1
仓库库存编号:
MRFG35003M6T1-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 55mA 3.55GHz 11.5dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003MT1
仓库库存编号:
MRFG35003MT1-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003N6T1
仓库库存编号:
MRFG35003N6T1-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 80mA 3.55GHz 11dB 4.5W PLD-1.5
型号:
MRFG35005MR5
仓库库存编号:
MRFG35005MR5-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 80mA 3.55GHz 11dB 4.5W PLD-1.5
型号:
MRFG35005MT1
仓库库存编号:
MRFG35005MT1-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 80mA 3.55GHz 11dB 4.5W PLD-1.5
型号:
MRFG35005NT1
仓库库存编号:
MRFG35005NT1-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 180mA 3.55GHz 10dB 9W PLD-1.5
型号:
MRFG35010MT1
仓库库存编号:
MRFG35010MT1-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ HF-600
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 12V 650mA 3.55GHz 12dB 3W
型号:
MRFG35030R5
仓库库存编号:
MRFG35030R5-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 GULL
型号:
MW6S010GMR1
仓库库存编号:
MW6S010GMR1-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2
型号:
MW6S010MR1
仓库库存编号:
MW6S010MR1-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 31A(Ta),150A(Tc) 1.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6609TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6609TR1PBFCT-ND
别名:IRF6609TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta),66A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6610TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6610TR1PBFCT-ND
别名:IRF6610TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),150A(Tc) 3.9W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6611TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6611TR1PBFCT-ND
别名:IRF6611TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta),136A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6612TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6612TR1PBFCT-ND
别名:IRF6612TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 23A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6613TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6613TR1PBFCT-ND
别名:IRF6613TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6617TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6617TR1PBFCT-ND
别名:IRF6617TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6618TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6618TR1PBFCT-ND
别名:IRF6618TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 27A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6620TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6620TR1PBFCT-ND
别名:IRF6620TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),55A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6621TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6621TR1PBFCT-ND
别名:IRF6621TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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