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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LSTL-E
仓库库存编号:
H7N1002LSTL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 900mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HAT2131R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2131R-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2287WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2287WP-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Ta) 25W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2299WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2299WP-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-220
型号:
N0439N-S19-AY
仓库库存编号:
N0439N-S19-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1100V 60A 250W TO247
详细描述:IGBT
型号:
RJH1BG7RDPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1BG7RDPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 5A
详细描述:IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
型号:
RJH60A01RDPD-A0#J2
仓库库存编号:
RJH60A01RDPD-A0#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 5A
详细描述:IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
型号:
RJH60A81RDPD-A0#J2
仓库库存编号:
RJH60A81RDPD-A0#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 10A
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 51W Surface Mount TO-252
型号:
RJH60A83RDPD-A0#J2
仓库库存编号:
RJH60A83RDPD-A0#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 10A
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FP
型号:
RJH60D1DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJH60D1DPP-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 650V
详细描述:IGBT
型号:
RJH65D27BDPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH65D27BDPQ-A0#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
RJK0349DSP-01#J0
仓库库存编号:
RJK0349DSP-01#J0-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SOP
型号:
RJK0355DSP-01#J0
仓库库存编号:
RJK0355DSP-01#J0-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Ta) 30W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5002DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5002DPD-00#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6014DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6014DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK
型号:
RJK6024DPH-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6024DPH-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 430V TO200FL
详细描述:IGBT 430V 30W Through Hole TO-220FL
型号:
RJP4301APP-M0#T2
仓库库存编号:
RJP4301APP-M0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 360V 10A(DC) 4-LDPAK
型号:
RJU3051SDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJU3051SDPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 360V 20A TO-252
型号:
RJU3052SDPD-E0#J2
仓库库存编号:
RJU3052SDPD-E0#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 430V 10A 4-LDPAK
型号:
RJU4351SDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJU4351SDPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L
详细描述:标准 通孔 二极管 430V 10A TO-220FP-2L
型号:
RJU4351TDPP-EJ#T2
仓库库存编号:
RJU4351TDPP-EJ#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 430V 20A TO-252
型号:
RJU4352SDPD-E0#J2
仓库库存编号:
RJU4352SDPD-E0#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 430V 20A 4-LDPAK
型号:
RJU4352SDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJU4352SDPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L
详细描述:标准 通孔 二极管 430V 20A TO-220FP-2L
型号:
RJU4352TDPP-EJ#T2
仓库库存编号:
RJU4352TDPP-EJ#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 20A TO-252
型号:
RJU6052SDPD-E0#J2
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RJU6052SDPD-E0#J2-ND
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