产品分类：分立半导体产品,
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2003J-883B
仓库库存编号：
1259-1081-ND
别名：1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2003J-JAN
仓库库存编号：
1259-1082-ND
别名：1259-1082
1259-1082-MIL
M38510/14103BEA
Q9387418
SG2003JJAN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2023J-DESC
仓库库存编号：
1259-1083-ND
别名：1259-1083
1259-1083-MIL
5962-8987601EA
SG2023JDESC
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2803J-883B
仓库库存编号：
1259-1084-ND
别名：1259-1084
1259-1084-MIL
Q10610783
Q10991540
SG2803J883B
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2803J-DESC
仓库库存编号：
1259-1085-ND
别名：1259-1085
1259-1085-MIL
5962-8605801VA
Q10830625
SG2803JDESC
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J
仓库库存编号：
SG2823J-ND
别名：1259-1086
1259-1086-MIL
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J-883B
仓库库存编号：
1259-1087-ND
别名：1259-1087
1259-1087-MIL
SG2823J883B
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J-DESC
仓库库存编号：
1259-1088-ND
别名：1259-1088
1259-1088-MIL
5962-8968501VA
SG2823JDESC
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 140mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A
型号：
NE5550779A-T1-A
仓库库存编号：
NE5550779A-T1-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
型号：
NE5550979A-T1-A
仓库库存编号：
NE5550979A-T1-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW M04
型号：
NE3513M04-T2-A
仓库库存编号：
NE3513M04-T2-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
型号：
NE3516S02-T1C-A
仓库库存编号：
NE3516S02-T1C-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
FET RF 30V 900MHZ 79A
详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 40mA 900MHz 22.5dB 33dBm 79A
型号：
NE5550279A-T1-A
仓库库存编号：
NE5550279A-T1-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE85633-T1B-R23-A
仓库库存编号：
NE85633-T1B-R23-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89
型号：
NE85634-T1-RE-A
仓库库存编号：
NE85634-T1-RE-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW M04
型号：
NE3513M04-A
仓库库存编号：
NE3513M04-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
型号：
NE5550979A-A
仓库库存编号：
NE5550979A-A-ND
别名：NE5550979AA
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
FET RF 30V 900MHZ 79A
详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 140mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A
型号：
NE5550779A-A
仓库库存编号：
NE5550779A-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
型号：
NE85633-R23-A
仓库库存编号：
NE85633-R23-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
FET RF 30V 900MHZ 79A
详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 40mA 900MHz 22.5dB 33dBm 79A
型号：
NE5550279A-A
仓库库存编号：
NE5550279A-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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CEL
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
型号：
NE3516S02-A
仓库库存编号：
NE3516S02-A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 60A 250W PLUS220SMD
详细描述：IGBT NPT 2500V 60A 250W Surface Mount PLUS-220SMD
型号：
IXGV25N250S
仓库库存编号：
IXGV25N250S-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4500V 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA02N450HV
仓库库存编号：
IXTA02N450HV-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4000V 300mA（Tc） 70W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF03N400
仓库库存编号：
IXTF03N400-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 18A 100W TO247AD
详细描述：IGBT 3000V 18A 100W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH10N300
仓库库存编号：
IXGH10N300-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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