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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 700mW（Ta），15W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8067-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8067-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8067-HLQ(S
  TPCC8067HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500mW Surface Mount 4-Chip LGA
  
  型号：TPCL4201(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPCL4201(TE85LF)-ND
  别名：TPCL4201(TE85LF)
  TPCL4201TE85LF
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500mW Surface Mount 4-Chip LGA
  
  型号：TPCL4202(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPCL4202(TE85LF)-ND
  别名：TPCL4202(TE85LF)
  TPCL4202TE85LF
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500mW Surface Mount 4-Chip LGA
  
  型号：TPCL4203(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPCL4203(TE85LF)-ND
  别名：TPCL4203(TE85LF)
  TPCL4203TE85LF
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1100V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT 1100V 60A 250W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1BF7RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1BF7RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 55A 227.2W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1CF6RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF6RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 60A 250W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1CF7RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF7RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 45A 140W TO3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 45A 140W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D0DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D0DPK-00#T0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 45A 40W TO3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJH60D0DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJH60D0DPM-00#T1-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60D1DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60D1DPP-M0#T2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 75A 200W TO3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 75A 200W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D5DPK-00#T0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 75A 45W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJH60D5DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJH60D5DPM-00#T1-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260W TO3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D6DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D6DPK-00#T0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 55W TO3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 90A 55W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJH60D7DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJH60D7DPM-00#T1-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W TO247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F5DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F5DPQ-A0#T0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 600V 3A MP3A
  详细描述：TRIAC Standard 600V 3A Surface Mount MP-3A
  
  型号：BCR3AS-12A-T13#B00
  仓库库存编号：BCR3AS-12A-T13#B00CT-ND
  别名：BCR3AS-12A-T13#B00CT
  BCR3AS12AT13B00
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N04VUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N04VUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP90N04VUG-E1-AYCT
  NP90N04VUGE1AY
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 20A（Tc） 1W（Ta），36W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：2SJ687-ZK-E1-AY
  仓库库存编号：2SJ687-ZK-E1-AYCT-ND
  别名：2SJ687-ZK-E1-AYCT
  2SJ687ZKE1AY
  
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  MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.5W（Ta），213W（Tc） TO-263
  
  型号：2SK3811-ZP-E1-AY
  仓库库存编号：2SK3811-ZP-E1-AYCT-ND
  别名：2SK3811-ZP-E1-AYCT
  2SK3811ZPE1AY
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.5W（Ta），104W（Tc） TO-263
  
  型号：2SK3943-ZP-E1-AY
  仓库库存编号：2SK3943-ZP-E1-AYCT-ND
  别名：2SK3943-ZP-E1-AYCT
  2SK3943ZPE1AY
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
  别名：NP100P04PLG-E1-AY-ND
  NP100P04PLG-E1-AYTR
  
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  MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N055TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N055TUJ-E1-AYCT-ND
  别名：NP160N055TUJ-E1-AYCT
  NP160N055TUJE1AY
  
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  MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP180N055TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP180N055TUJ-E1-AYTR-ND
  别名：NP180N055TUJ-E1-AY-ND
  NP180N055TUJ-E1-AYTR
  
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  MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 1W（Ta），60W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP23N06YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP23N06YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP23N06YDG-E1-AY-ND
  NP23N06YDG-E1-AYTR
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 33A（Tc） 1W（Ta），97W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP33N06YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP33N06YDG-E1-AY-ND
  NP33N06YDG-E1-AYTR
  
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