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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
  
  型号：30JL2C41(F)
  仓库库存编号：30JL2C41(F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE ZENER 9.1V 700MW SFLAT
  详细描述：Zener Diode 9.1V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5)
  
  型号：CRY91(TE85L,Q,M)
  仓库库存编号：CRY91(TE85L,Q,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 400V 1W 8-SOIC
  详细描述：IGBT 400V 1W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：GT10G131(TE12L,Q)
  仓库库存编号：GT10G131(TE12L,Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  详细描述：IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM
  
  型号：GT10J312(Q)
  仓库库存编号：GT10J312(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  详细描述：IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH)
  
  型号：GT60N321(Q)
  仓库库存编号：GT60N321(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 400V 600MW 8TSSOP
  详细描述：IGBT 400V 600mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：GT8G133(TE12L,Q)
  仓库库存编号：GT8G133(TE12L,Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
  详细描述：IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH)
  
  型号：GT50J121(Q)
  仓库库存编号：GT50J121(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8026(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8036-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8036-H(TE12L,QM-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8025(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8025(TE12L,Q,M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8036-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8036-H(TE12L,Q-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 34A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A02-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8A02-H(TE12LQM-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Ta） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A04-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8A04-H(TE12L,Q-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.2A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8003-H(TE85L,F
  仓库库存编号：TPCP8003-H(TE85L,F-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE SCHOTTKY 40V 1A PWMINI
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 40V 1A PW-MINI
  
  型号：U1GWJ49(TE12L,F)
  仓库库存编号：U1GWJ49(TE12L,F)-ND
  
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  DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220SM
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 20A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  
  型号：U20DL2C48A(TE24L,Q
  仓库库存编号：U20DL2C48A(TE24L,Q-ND
  
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 1.5W Through Hole TO-92-3
  
  型号：STBV32G
  仓库库存编号：497-8887-ND
  别名：497-8887
  
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 1W Through Hole TO-92-3
  
  型号：STBV42G
  仓库库存编号：497-8888-ND
  别名：497-8888
  
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 11A 33W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 11A 33W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF14N60D
  仓库库存编号：497-8897-5-ND
  别名：497-8897-5
  
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 25A 95W TO220
  详细描述：IGBT 600V 25A 95W Through Hole TO-220-3
  
  型号：STGP14N60D
  仓库库存编号：497-8898-5-ND
  别名：497-8898-5
  
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 2A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 2A 2.5W Through Hole TO-92
  
  型号：STX13004G
  仓库库存编号：497-8904-5-ND
  别名：497-8904-5
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8042(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8042TE12LQMCT-ND
  别名：TPC8042TE12LQM
  TPC8042TE12LQMCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 35A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8048-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8048-HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8048-HTE12LQCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8005-H(TE85L,F
  仓库库存编号：TPCP8005-HTE85LFCT-ND
  别名：TPCP8005-HTE85LFCT
  TPCP8005HTE85LF
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE SCHOTTKY 30V 700MA USC
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 30V 700mA USC
  
  型号：DSF07S30U(TPH3,F)
  仓库库存编号：DSF07S30U(TPH3,F)-ND
  
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