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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT6M100K
  仓库库存编号：APT6M100K-ND
  别名：APT6M100KMI
  APT6M100KMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 124A 379W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GN120JDQ3G
  仓库库存编号：APT75GN120JDQ3G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 124A 379W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GN120J
  仓库库存编号：APT75GN120J-ND
  别名：APT75GN120JG
  APT75GN120JG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 155A 536W TO264
  详细描述：IGBT 600V 155A 536W Through Hole
  
  型号：APT75GN60B2DQ3G
  仓库库存编号：APT75GN60B2DQ3G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT7F80K
  仓库库存编号：APT7F80K-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 42A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8014JLL
  仓库库存编号：APT8014JLL-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 29A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8024JLL
  仓库库存编号：APT8024JLL-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 31A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8024LLLG
  仓库库存编号：APT8024LLLG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 8A Through Hole TO-220-3
  
  型号：APT8DQ60KCTG
  仓库库存编号：APT8DQ60KCTG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT8M80K
  仓库库存编号：APT8M80K-ND
  
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• Analog Devices Inc.
  TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 36V 20mA 190MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT03FHZ
  仓库库存编号：MAT03FHZ-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2175H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2175H-EL-E-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：HAT2197R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2197R-EL-E-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 16A（Tc） 260W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA15N65
  仓库库存编号：FDA15N65-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N50U
  仓库库存编号：FDPF7N50U-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 46W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 46W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF30N30
  仓库库存编号：FGPF30N30-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 56.8W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 56.8W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF90N30
  仓库库存编号：FGPF90N30-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD3N40TF
  仓库库存编号：FDD3N40TFCT-ND
  别名：FDD3N40TFCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N25TF
  仓库库存编号：FDD6N25TFCT-ND
  别名：FDD6N25TFCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.5）
  
  型号：FDZ493P
  仓库库存编号：FDZ493PCT-ND
  别名：FDZ493PCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 9A（Tc） 173W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N50CFTM
  仓库库存编号：FQB9N50CFTMCT-ND
  别名：FQB9N50CFTMCT
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 150V 150A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN150N15
  仓库库存编号：IXFN150N15-ND
  别名：Q3181657
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
  详细描述：标准 通孔 二极管 50V 1A DO-41
  
  型号：1N4001
  仓库库存编号：1N4001FSCT-ND
  别名：1N4001FSCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
  详细描述：标准 通孔 二极管 100V 1A DO-41
  
  型号：1N4002
  仓库库存编号：1N4002FSCT-ND
  别名：1N4002FSCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
  详细描述：标准 通孔 二极管 200V 1A DO-41
  
  型号：1N4003
  仓库库存编号：1N4003FSCT-ND
  别名：1N4003FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,
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