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NXP USA Inc.
FET RF 133V 512MHZ TO270-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.4dB 25W TO-270-2
型号:
MRFE6VS25NR1
仓库库存编号:
MRFE6VS25NR1CT-ND
别名:MRFE6VS25NR1CT
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
GSXF100A120S1-D3
仓库库存编号:
1560-1122-5-ND
别名:1560-1122
1560-1122-5
1560-1122-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT60N60BCSG
仓库库存编号:
APT60N60BCSG-ND
别名:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 95A(Tc) 833W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT94N65B2C6
仓库库存编号:
APT94N65B2C6-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB100N50P
仓库库存编号:
IXFB100N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 600V 40A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 40A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTH60L06TV1
仓库库存编号:
497-3796-5-ND
别名:497-3796-5
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 80A 360W TO268
详细描述:IGBT 1700V 80A 360W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT42N170
仓库库存编号:
IXBT42N170-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 69A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 450W(Tc) TO-247
型号:
STW78N65M5
仓库库存编号:
497-13603-5-ND
别名:497-13603-5
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 200V 100A SOT227B
详细描述:Diode Array 2 Independent Schottky 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
DSS2X101-02A
仓库库存编号:
DSS2X101-02A-ND
别名:DSS2X10102A
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA
详细描述:Zener Diode 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA
型号:
JAN1N4103DUR-1
仓库库存编号:
1086-15201-ND
别名:1086-15201-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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IXYS
IGBT 1200V 240A 830W TO264
详细描述:IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK120N120A3
仓库库存编号:
IXGK120N120A3-ND
别名:622019
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE STD REC 1500V S-PKG
详细描述:标准 通孔 二极管 250mA S,轴向
型号:
JANTX1N3644
仓库库存编号:
1086-15300-ND
别名:1086-15300-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX60N50L2
仓库库存编号:
IXTX60N50L2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOD IPM SLLIMM 30A 600V 25SDIP
详细描述:Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 30A 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
型号:
STGIPS30C60T-H
仓库库存编号:
497-15131-5-ND
别名:497-15131-5
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 100V 0.5A TO-39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 500mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JANTX2N3498
仓库库存编号:
1086-15507-ND
别名:1086-15507-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 960W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB80N50Q2
仓库库存编号:
IXFB80N50Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
FET RF 40V 870MHZ
详细描述:RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 870MHz 17dB 15W PowerSO-10RF (Formed Lead)
型号:
PD85035-E
仓库库存编号:
497-8299-5-ND
别名:497-8299
497-8299-5
497-8299-ND
PD85035-E-ND
PD85035E
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 283A 682W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT200GN60J
仓库库存编号:
APT200GN60J-ND
别名:APT200GN60JMI
APT200GN60JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 40A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE40NC60
仓库库存编号:
497-3169-5-ND
别名:497-3169-5
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) MAX247?
型号:
STY112N65M5
仓库库存编号:
497-11236-5-ND
别名:497-11236-5
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Cree/Wolfspeed
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 22A Through Hole TO-247-3
型号:
C2D20120D
仓库库存编号:
C2D20120D-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Powerex Inc.
DUAL SCR MODULE
详细描述:SCR Module 1600V 141A Series Connection - All SCRs Module
型号:
CD431690C
仓库库存编号:
835-1142-ND
别名:835-1142
CD431690C-ND
Q6751856
Q7476371
T1735128
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 15A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
GHXS015A120S-D4
仓库库存编号:
1560-1142-5-ND
别名:1560-1142
1560-1142-5
1560-1142-ND
GHXS015A120SD4
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO9
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 300A DO-9
型号:
S300YR
仓库库存编号:
1242-1080-ND
别名:1242-1080
产品分类:分立半导体产品,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 128A 543W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GP120J
仓库库存编号:
APT75GP120J-ND
别名:APT75GP120JMI
APT75GP120JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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