以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1300V 60A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH30S130P
  仓库库存编号：FGH30S130P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  IGBT 600V 100A 223W TO247
  详细描述：IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTG50N60FWG
  仓库库存编号：NGTG50N60FWGOS-ND
  别名：NGTG50N60FWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 5A（DC） PG-TO220-2-1
  
  型号：IDH05G120C5XKSA1
  仓库库存编号：IDH05G120C5XKSA1-ND
  别名：SP000974868
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP041N12N3 G
  仓库库存编号：IPP041N12N3 G-ND
  别名：IPP041N12N3G
  IPP041N12N3GXKSA1
  SP000652746
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 40A 278W TO-220
  详细描述：IGBT 1200V 40A 278W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXYP20N120C3
  仓库库存编号：IXYP20N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA
  详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 25A DO-203AA
  
  型号：VS-25F60
  仓库库存编号：25F60-ND
  别名：*25F60
  25F60
  VS-25F60-ND
  VS25F60
  VS25F60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  DIODE GEN PURP 600V 60A DO247
  详细描述：标准 通孔 二极管 60A DO-247
  
  型号：STTH6006W
  仓库库存编号：497-7599-5-ND
  别名：497-7599-5
  STTH6006W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 1700V 2.5A
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 3W（Ta），55W（Tc） TO-3PF
  
  型号：WPH4003-1E
  仓库库存编号：WPH4003-1EOS-ND
  别名：WPH4003-1EOS
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP360N4F6
  仓库库存编号：497-13972-5-ND
  别名：497-13972-5
  STP360N4F6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 39A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 417W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT42S60L
  仓库库存编号：785-1515-5-ND
  别名：AOT42S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ARRAY GP 600V 15A TO220AB
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Through Hole TO-220-3
  
  型号：VS-HFA30TA60C-N3
  仓库库存编号：VS-HFA30TA60C-N3GI-ND
  别名：VS-HFA30TA60C-N3GI
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA52P10P
  仓库库存编号：IXTA52P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：ALD1102ASAL
  仓库库存编号：1014-1005-ND
  别名：1014-1005
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA36P15P
  仓库库存编号：IXTA36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60X,S1X
  仓库库存编号：TK31E60XS1X-ND
  别名：TK31E60X,S1X(S
  TK31E60XS1X
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 70A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50SPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50SPBF-ND
  别名：*IRG4PC50SPBF
  SP001541548
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
  
  型号：DSA90C200HB
  仓库库存编号：DSA90C200HB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC
  详细描述：标准 通孔 二极管 60A TO-247AC 改进型
  
  型号：VS-60EPS12PBF
  仓库库存编号：VS-60EPS12PBF-ND
  别名：60EPS12PBF
  60EPS12PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  SCR 30A 1200V ISOLATED TOP3
  详细描述：SCR 1200V 30A Standard Recovery Through Hole TOP3
  
  型号：BTW68-1200RG
  仓库库存编号：497-12754-ND
  别名：497-12754
  BTW68-1200RG-ND
  BTW681200RG
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA
  详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 25A DO-203AA
  
  型号：VS-25F20
  仓库库存编号：25F20-ND
  别名：*25F20
  25F20
  VS-25F20-ND
  VS25F20
  VS25F20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ52N30P
  仓库库存编号：IXTQ52N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  FET RF 7V 2GHZ SOT89
  详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 4.5V 200mA 2GHz 16dB 27dBm SOT-89
  
  型号：ATF-52189-BLK
  仓库库存编号：516-2371-ND
  别名：516-2371
  ATF-52189-BLK-ND
  ATF52189BLK
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220F
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A TO-220F-2L
  
  型号：FMCA-11065
  仓库库存编号：FMCA-11065-ND
  别名：FMCA-11065 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 308W TO247AC
  详细描述：IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP35B60PDPBF
  仓库库存编号：IRGP35B60PDPBF-ND
  别名：*IRGP35B60PDPBF
  63-6008PBF
  63-6008PBF-ND
  SP001546216
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 57A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG4PH50S-EPBF
  仓库库存编号：IRG4PH50S-EPBF-ND
  别名：IRG4PH50SEPBF
  SP001545684
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索