产品分类：分立半导体产品,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 570mA（Ta） 560mW（Tc） SOT-323-3
型号：
PMF780SN,115
仓库库存编号：
PMF780SN,115-ND
别名：934057708115
PMF780SN T/R
PMF780SN T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Tc） 8.3W（Tc） SOT-223
型号：
BSP030,115
仓库库存编号：
568-6218-1-ND
别名：568-6218-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 30W SOT502B
型号：
BLF7G22LS-130,118
仓库库存编号：
BLF7G22LS-130,118-ND
别名：934063501118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 30W SOT502B
型号：
BLF7G22LS-130,112
仓库库存编号：
568-8662-ND
别名：568-8662
934063501112
BLF7G22LS-130,112-ND
BLF7G22LS130112
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B
型号：
BLF6G10LS-135RN,11
仓库库存编号：
BLF6G10LS-135RN,11-ND
别名：934063207118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B
型号：
BLF6G10LS-135RN:11
仓库库存编号：
568-8636-ND
别名：568-8636
934063207112
BLF6G10LS-135RN:11-ND
BLF6G10LS135RN11
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 164W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R7-25YLC,115
仓库库存编号：
568-6723-1-ND
别名：568-6723-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.3A 2.11GHz ~ 2.17GHz 18dB 43W SOT502B
型号：
BLF7G22LS-160,118
仓库库存编号：
BLF7G22LS-160,118-ND
别名：934065232118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.3A 2.11GHz ~ 2.17GHz 18dB 43W SOT502B
型号：
BLF7G22LS-160,112
仓库库存编号：
BLF7G22LS-160,112-ND
别名：934065232112
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 333W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK752R3-40C,127
仓库库存编号：
568-6621-5-ND
别名：568-6621
568-6621-5
568-6621-ND
934059866127
BUK752R3-40C,127-ND
BUK752R340C127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.05A 3.4GHz ~ 3.6GHz 13dB 18.5W LDMOST
型号：
BLF6G38-100,112
仓库库存编号：
568-8656-ND
别名：568-8656
934061296112
BLF6G38-100,112-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 45V 0.1A SC-75
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
BC857BT,115
仓库库存编号：
568-6084-1-ND
别名：568-6084-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
DIODE UHF VAR CAP 32V SOD523
详细描述：Varactor Single 32V Surface Mount SOD-523
型号：
BB179B,115
仓库库存编号：
568-1947-1-ND
别名：568-1947-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
IC MOSFET DRIVER 6TSOP
详细描述：Transistor MOSFET Driver 2 NPN (Totem Pole) 50V NPN, 45V NPN 100mA NPN, 100mA NPN Surface Mount 6-TSOP
型号：
PMD9003D,115
仓库库存编号：
568-7384-1-ND
别名：568-7384-1
PMD9003D115
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 76.7A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH6030L,115
仓库库存编号：
PH6030L,115-ND
别名：934061643115
PH6030L T/R
PH6030L T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 95.9A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 95.9A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH4330L,115
仓库库存编号：
PH4330L,115-ND
别名：934061961115
PH4330L T/R
PH4330L T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH2525L,115
仓库库存编号：
PH2525L,115-ND
别名：934060898115
PH2525L T/R
PH2525L T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA144VE,115
仓库库存编号：
PDTA144VE,115-ND
别名：934058811115
PDTA144VE T/R
PDTA144VE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA114TE,115
仓库库存编号：
PDTA114TE,115-ND
别名：934051770115
PDTA114TE T/R
PDTA114TE T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA114EK,115
仓库库存编号：
PDTA114EK,115-ND
别名：934036750115
PDTA114EK T/R
PDTA114EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PBLS4005V,115
仓库库存编号：
568-7246-1-ND
别名：568-7246-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
BUK9E3R2-40B,127
仓库库存编号：
568-6639-5-ND
别名：568-6639
568-6639-5
568-6639-ND
934058038127
BUK9E3R2-40B
BUK9E3R2-40B,127-ND
BUK9E3R2-40B-ND
BUK9E3R240B127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9610-55A,118
仓库库存编号：
568-9677-1-ND
别名：568-9677-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK952R8-30B,127
仓库库存编号：
568-6633-5-ND
别名：568-6633
568-6633-5
568-6633-ND
934057088127
BUK952R8-30B
BUK952R8-30B,127-ND
BUK952R8-30B-ND
BUK952R830B127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 63A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK9520-100A,127
仓库库存编号：
568-9732-5-ND
别名：568-9732-5
934055652127
BUK9520-100A
BUK9520-100A,127-ND
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BUK9520100A127
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