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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP084N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP084N06L3GXKSA1-ND
别名：IPP084N06L3 G
IPP084N06L3 G-ND
SP000680838
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI084N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI084N06L3GXKSA1-ND
别名：SP001065242
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
IGB03N120H2ATMA1
仓库库存编号：
IGB03N120H2ATMA1TR-ND
别名：IGB03N120H2
IGB03N120H2-ND
SP000014616
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R650CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R650CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R650CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S304ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-04CT
IPB80N04S3-04CT-ND
IPB80N04S304
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7416QTR
仓库库存编号：
AUIRF7416QTR-ND
别名：SP001516460
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L-04-ND
SP000396284
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
型号：
IPD100N04S4L02ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N04S4L02ATMA1-ND
别名：SP001238380
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD10N60RFAATMA1
仓库库存编号：
IKD10N60RFAATMA1-ND
别名：SP001205244
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
型号：
SPP03N60S5XKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60S5XKSA1-ND
别名：SP000681020
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7341GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7341GTRPBF-ND
别名：SP001563394
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001385616
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 63W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 11A 63W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB4B60KD1PBF
仓库库存编号：
IRGB4B60KD1PBF-ND
别名：*IRGB4B60KD1PBF
63-0002PBF
63-0002PBF-ND
SP001542250
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 42W TO220-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 8A 42W Through Hole PG-TO220-3
型号：
IKP04N60TXKSA1
仓库库存编号：
IKP04N60TXKSA1-ND
别名：IKP04N60T
IKP04N60T-ND
SP000683054
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 87A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR3504TRL
仓库库存编号：
AUIRFR3504TRL-ND
别名：SP001520330
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPI180N10N3 G
IPI180N10N3 G-ND
IPI180N10N3G
SP000683076
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC20W-SPBF
仓库库存编号：
IRG4BC20W-SPBF-ND
别名：*IRG4BC20W-SPBF
SP001547922
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600P6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R600P6XKSA1-ND
别名：IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL_100+
型号：
IPB70N12S311ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N12S311ATMA1-ND
别名：SP001398604
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL_100+
型号：
IPB70N12S3L12ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N12S3L12ATMA1-ND
别名：SP001398606
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S4H2AKSA1-ND
别名：IPP100N04S4-H2
IPP100N04S4-H2-ND
SP000711278
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 30A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N02KSGAUMA1
仓库库存编号：
BSC019N02KSGAUMA1TR-ND
别名：BSC019N02KS G
BSC019N02KS G-ND
SP000307376
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 9A 38W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG4BC10KDPBF
仓库库存编号：
IRG4BC10KDPBF-ND
别名：*IRG4BC10KDPBF
SP001532484
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 17A（Ta） 2.5W（Ta），46W（Tc） DIRECTFET? M2
型号：
AUIRF7734M2TR
仓库库存编号：
AUIRF7734M2TR-ND
别名：SP001522286
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600E6XKSA1-ND
别名：IPA60R600E6
IPA60R600E6-ND
SP000797298
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