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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 72A（Tc） 75W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI70P04P409AKSA1
仓库库存编号：
IPI70P04P409AKSA1-ND
别名：SP000735974
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 1A SC73
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 60V 1A (DC) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA
型号：
BAT160S,115
仓库库存编号：
1727-5451-1-ND
别名：1727-5451-1
568-6922-1
568-6922-1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3315STRLPBF-ND
别名：SP001563170
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 88W TO220-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 12A 88W Through Hole PG-TO220-3
型号：
IGP06N60TXKSA1
仓库库存编号：
IGP06N60TXKSA1-ND
别名：IGP06N60T
IGP06N60T-ND
SP000683040
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N04S3H4ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND
别名：IPD90N04S3-H4
IPD90N04S3-H4-ND
SP000415584
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO220
详细描述：标准 通孔 二极管 600V 29.2A（DC） PG-TO220-2
型号：
IDP15E60XKSA1
仓库库存编号：
IDP15E60XKSA1-ND
别名：IDP15E60
IDP15E60-ND
SP000683024
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR2905ZTRL
仓库库存编号：
AUIRFR2905ZTRL-ND
别名：SP001520228
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD033N06NATMA1
仓库库存编号：
IPD033N06NATMA1-ND
别名：SP001602182
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08N50C3
仓库库存编号：
SPD08N50C3INCT-ND
别名：SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3XTINCT
SPD08N50C3XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N04S304ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPD90N04S3-04CT
IPD90N04S3-04CT-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
型号：
IPS50R520CPBKMA1
仓库库存编号：
IPS50R520CPBKMA1-ND
别名：SP000307420
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2905TRL
仓库库存编号：
AUIRLR2905TRL-ND
别名：SP001520426
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7478QTR
仓库库存编号：
AUIRF7478QTR-ND
别名：SP001522778
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012NE2LXIXUMA1
仓库库存编号：
BSB012NE2LXIXUMA1-ND
别名：SP001034232
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N06S4L11AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S4L11AATMA1-ND
别名：SP001200162
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S4L07AKSA2-ND
别名：SP001028678
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S407AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S407AKSA2-ND
别名：SP001028676
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL_100+
型号：
IPD70N12S3L12ATMA1
仓库库存编号：
IPD70N12S3L12ATMA1-ND
别名：SP001400112
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO220-2
详细描述：标准 通孔 二极管 1200V 28A（DC） PG-TO220-2
型号：
IDP12E120XKSA1
仓库库存编号：
IDP12E120XKSA1-ND
别名：IDP12E120
IDP12E120-ND
SP000712390
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10SDTRPBF
仓库库存编号：
IRG4RC10SDTRPBFCT-ND
别名：IRG4RC10SDTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） DPAK
型号：
AUIRFR540ZTRL
仓库库存编号：
AUIRFR540ZTRLTR-ND
别名：AUIRFR540ZTRLTR
SP001520296
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R380E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R380E6BTMA1CT
IPD65R380E6CT
IPD65R380E6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R380E6ATMA1-ND
别名：SP001117736
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R750E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R750E6XKSA1-ND
别名：IPP60R750E6
IPP60R750E6-ND
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