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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R1K4CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R1K4CEAUMA1-ND
别名：SP001396808
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU50R1K4CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU50R1K4CEAKMA1-ND
别名：SP001396810
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.3A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL303SPEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL303SPEH6327XTSA1-ND
别名：SP000953144
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 25V 6.5MA SOT23
详细描述：RF Mosfet N-Channel JFET TO-236AB (SOT23)
型号：
BF861A,215
仓库库存编号：
568-8477-1-ND
别名：568-8477-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 15V 10mA 200MHz 25dB SOT-143B
型号：
BF996S,215
仓库库存编号：
568-6180-1-ND
别名：568-6180-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R2K0CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R2K0CEAUMA1-ND
别名：SP001466914
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名：SP000904026
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
型号：
IPS60R2K1CEAKMA1
仓库库存编号：
IPS60R2K1CEAKMA1-ND
别名：SP001471270
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
详细描述：JFET N-Channel 10mA 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
型号：
BFT46,215
仓库库存编号：
568-8482-1-ND
别名：568-8482-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
型号：
IPN50R800CEATMA1
仓库库存编号：
IPN50R800CEATMA1-ND
别名：SP001461196
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 13A（Ta） 2.5W（Ta） PG-TDSON-8
型号：
BSC0996NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0996NSATMA1-ND
别名：SP001659236
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名：BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS RF NPN 13V 25MA SOT343
详细描述：RF Transistor NPN 13V 25mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
型号：
BGR420H6327XTSA1
仓库库存编号：
BGR420H6327XTSA1TR-ND
别名：BGR 420 H6327
BGR 420 H6327-ND
SP000750468
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
IC RF SWITCH SOT-143R
详细描述：RF Mosfet N-Channel SOT-143R
型号：
BF1108R,215
仓库库存编号：
568-1958-2-ND
别名：568-1958-2
934055641215
BF1108R T/R
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
型号：
IPN60R1K0CEATMA1
仓库库存编号：
IPN60R1K0CEATMA1-ND
别名：SP001434884
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS RF NPN 12V 30MA 6TSSOP
详细描述：RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount 5-TSSOP
型号：
BFU520YF
仓库库存编号：
BFU520YF-ND
别名：934067715135
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 14.7A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD06E60BUMA1
仓库库存编号：
IDD06E60BUMA1TR-ND
别名：IDD06E60
IDD06E60-ND
SP000077586
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.6W（Ta），20W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8342TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8342TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8342TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251
型号：
IPU50R950CEAKMA2
仓库库存编号：
IPU50R950CEAKMA2-ND
别名：SP001396806
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
型号：
IPD50R950CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R950CEAUMA1-ND
别名：SP001396802
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 12V 50MA SOT323
详细描述：Varactor 1 Pair Common Cathode 12V Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BBY6605WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BBY6605WH6327XTSA1TR-ND
别名：BBY 66-05W H6327
BBY 66-05W H6327-ND
SP000743582
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） SOT-223
型号：
BSP320SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSP320SH6433XTMA1-ND
别名：SP001058772
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 5.2A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R1K5CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD65R1K5CEAUMA1-ND
别名：SP001422862
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPSA70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号：
IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
别名：SP001605400
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236950
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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