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Powerex Inc.
DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 200V 220A DO-205AB，DO-9
型号：
R6030222PSYA
仓库库存编号：
R6030222PSYA-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Powerex Inc.
DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 400V 250A DO-205AB，DO-9
型号：
R6030425HSYA
仓库库存编号：
R6030425HSYA-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Phoenix Contact
DIODE MODULE 1.3KV 700MA
详细描述：Diode Array 7 Common Anode Standard 1300V 700mA Housed Axial
型号：
2950077
仓库库存编号：
277-5203-ND
别名：277-5203
2950077-ND
EMG22-DIO7M
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Powerex Inc.
DIODE STUD MNT 240A 400V DO-9
详细描述：二极管
型号：
1N3168
仓库库存编号：
1N3168-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Powerex Inc.
DIODE STUD MNT 240A 400V DO-9
详细描述：二极管
型号：
1N3168R
仓库库存编号：
1N3168R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1400V 72A PWS-D
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 72A Chassis Mount PWS-D
型号：
VBO72-14NO7
仓库库存编号：
VBO72-14NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
详细描述：标准 接线柱安装 二极管 50V 20A DO-203AA
型号：
1N5812
仓库库存编号：
1N5812-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 2500V 5A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN5N250
仓库库存编号：
IXTN5N250-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
DIODE RECTIFIER 600V 721A
详细描述：标准 底座安装 二极管 600V 650A
型号：
D650N06T
仓库库存编号：
D650N06T-ND
别名：SP000782556
产品分类：分立半导体产品,
搜索
Microsemi Corporation
TRANS PNP 40V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4234
仓库库存编号：
1086-20965-ND
别名：1086-20965
1086-20965-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 80V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4236
仓库库存编号：
1086-20968-ND
别名：1086-20968
1086-20968-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 40V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4237
仓库库存编号：
1086-20971-ND
别名：1086-20971
1086-20971-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4238
仓库库存编号：
1086-20974-ND
别名：1086-20974
1086-20974-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4239
仓库库存编号：
1086-20977-ND
别名：1086-20977
1086-20977-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT50H120T3G
仓库库存编号：
APTGT50H120T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO244
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 40A Chassis Mount TO-244AB
型号：
VS-401CNQ040PBF
仓库库存编号：
VS-401CNQ040PBF-ND
别名：VS401CNQ040PBF
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
DIODE RECTIFIER 200V 1245A
详细描述：标准 底座安装 二极管 400V 970A
型号：
D970N04T
仓库库存编号：
D970N04T-ND
别名：SP000782568
产品分类：分立半导体产品,
搜索
Microsemi Corporation
MOD IGBT 600V 225A SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 600W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT150A60T3AG
仓库库存编号：
APTGT150A60T3AG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 20W SOT502B
型号：
BLF7G24LS-100,118
仓库库存编号：
BLF7G24LS-100,118-ND
别名：934064628118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 35V 400A (DC) Chassis Mount Twin Tower
型号：
MBR40035CTR
仓库库存编号：
1242-1038-ND
别名：1242-1038
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 400V INT-A-PAK
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400V 165A Chassis Mount INT-A-PAK (3)
型号：
VS-VSKC166/04PBF
仓库库存编号：
VS-VSKC166/04PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.4KV 165A Y4-M6
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1400V 165A Chassis Mount Y4-M6
型号：
MDD142-14N1
仓库库存编号：
MDD142-14N1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOD THYRISTOR/DIODE 1200V Y4-M6
详细描述：SCR Module 1200V 300A Series Connection - SCR/Diode Chassis Mount TO-240AA
型号：
MCD132-12IO1
仓库库存编号：
MCD132-12IO1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
型号：
APTM120DA30CT1G
仓库库存编号：
APTM120DA30CT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 1.2KV INT-A-PAK
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 165A Chassis Mount INT-A-PAK (3)
型号：
VS-VSKC166/12PBF
仓库库存编号：
VS-VSKC166/12PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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