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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
JANTXV1N750A-1
仓库库存编号:
1086-15589-ND
别名:1086-15589-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
JANTXV1N746A-1
仓库库存编号:
1086-15588-ND
别名:1086-15588-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO268
详细描述:IGBT 1200V 40A 190W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT20N120BD1
仓库库存编号:
IXGT20N120BD1-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 69A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH69N30P
仓库库存编号:
IXFH69N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 380W TO268
详细描述:IGBT PT 600V 75A 380W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT60N60C3D1
仓库库存编号:
IXGT60N60C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 313W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-247
型号:
FGH25N120FTDS
仓库库存编号:
FGH25N120FTDS-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 658W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ44N50P
仓库库存编号:
IXTQ44N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 16A(DC) D2PAK
型号:
VS-HFA16TB120STRLP
仓库库存编号:
VS-HFA16TB120STRLP-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 16A(DC) D2PAK
型号:
VS-HFA16TB120STRRP
仓库库存编号:
VS-HFA16TB120STRRP-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
详细描述:IGBT Module PT Single 1200V 43A 150W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXA27IF1200HJ
仓库库存编号:
IXA27IF1200HJ-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO247
详细描述:IGBT 1200V 40A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH20N120BD1
仓库库存编号:
IXGH20N120BD1-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 80A TO-268
型号:
IXFT80N30P3
仓库库存编号:
IXFT80N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK31J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK31J60W5S1VQ-ND
别名:TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 200V 1A
型号:
JAN1N3611
仓库库存编号:
1086-1996-ND
别名:1086-1996
1086-1996-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 400V 1A
型号:
JAN1N3612
仓库库存编号:
1086-1997-ND
别名:1086-1997
1086-1997-MIL
Q8501595
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 50V 300mA
型号:
JAN1N6643
仓库库存编号:
1086-20040-ND
别名:1086-20040
1086-20040-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 60A 534W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 534W Through Hole TO-247
型号:
NGTB30N120L2WG
仓库库存编号:
NGTB30N120L2WGOS-ND
别名:NGTB30N120L2WGOS
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 600V 40A DO-203AB
型号:
VS-41HFR60
仓库库存编号:
VS-41HFR60-ND
别名:*41HFR60
41HFR60
41HFR60-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GP90BG
仓库库存编号:
APT15GP90BG-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 110V 500MW DO213AB
详细描述:Zener Diode 110V 500mW ±20% Surface Mount DO-213AB
型号:
CDLL986
仓库库存编号:
CDLL986-ND
别名:1086-1986
1086-1986-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述:Zener Diode
型号:
CDLL987B
仓库库存编号:
CDLL987B-ND
别名:1086-1989
1086-1989-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述:Zener Diode
型号:
CDLL988B
仓库库存编号:
CDLL988B-ND
别名:1086-1990
1086-1990-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述:Zener Diode 160V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
CDLL990B
仓库库存编号:
CDLL990B-ND
别名:1086-1992
1086-1992-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
JANTX1N4101-1
仓库库存编号:
1086-15311-ND
别名:1086-15311-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 33V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 33V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
JANTX1N4121-1
仓库库存编号:
1086-15324-ND
别名:1086-15324-MIL
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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