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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N746C-1
仓库库存编号：
1086-20066-ND
别名：1086-20066
1086-20066-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N747C-1
仓库库存编号：
1086-20082-ND
别名：1086-20082
1086-20082-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N748C-1
仓库库存编号：
1086-20098-ND
别名：1086-20098
1086-20098-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N749C-1
仓库库存编号：
1086-20112-ND
别名：1086-20112
1086-20112-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N750C-1
仓库库存编号：
1086-20126-ND
别名：1086-20126
1086-20126-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N751C-1
仓库库存编号：
1086-20140-ND
别名：1086-20140
1086-20140-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N752C-1
仓库库存编号：
1086-20153-ND
别名：1086-20153
1086-20153-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N754C-1
仓库库存编号：
1086-20179-ND
别名：1086-20179
1086-20179-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N755C-1
仓库库存编号：
1086-20194-ND
别名：1086-20194
1086-20194-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N756C-1
仓库库存编号：
1086-20208-ND
别名：1086-20208
1086-20208-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N757C-1
仓库库存编号：
1086-20222-ND
别名：1086-20222
1086-20222-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 10V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N758C-1
仓库库存编号：
1086-20234-ND
别名：1086-20234
1086-20234-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N759C-1
仓库库存编号：
1086-20247-ND
别名：1086-20247
1086-20247-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 8A (DC) Through Hole TO-247-3
型号：
TRS16N65D,S1F
仓库库存编号：
TRS16N65DS1F-ND
别名：TRS16N65D,S1F(S
TRS16N65DS1F
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ480P2
仓库库存编号：
IXTQ480P2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 35V 40A D61
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40A Chassis Mount D-61-8
型号：
VS-81CNQ035APBF
仓库库存编号：
VS-81CNQ035APBF-ND
别名：VS81CNQ035APBF
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Semtech Corporation
D MET 1A STD 800V
详细描述：标准 通孔 二极管 2A 轴向
型号：
1N5620
仓库库存编号：
1N5620S-ND
别名：1N5620S
产品分类：分立半导体产品,
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IXYS
IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247AD
型号：
IXDH20N120
仓库库存编号：
IXDH20N120-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
型号：
TK31E60W,S1VX
仓库库存编号：
TK31E60WS1VX-ND
别名：TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK31A60W,S4VX
仓库库存编号：
TK31A60WS4VX-ND
别名：TK31A60W,S4VX(M
TK31A60WS4VX
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE STD REC 300V 70A DO5
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 70A DO-203AB（DO-5）
型号：
VS-70HF30
仓库库存编号：
VS-70HF30-ND
别名：VS70HF30
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE STD REC 70A DO5
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 70A DO-203AB（DO-5）
型号：
VS-70HFR30
仓库库存编号：
VS-70HFR30-ND
别名：VS70HFR30
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 64A 300W TO268
详细描述：IGBT Surface Mount TO-268
型号：
IXGT32N90B2D1
仓库库存编号：
IXGT32N90B2D1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-268
型号：
IXFT4N100Q
仓库库存编号：
IXFT4N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH32P20T
仓库库存编号：
IXTH32P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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邮箱：
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Q Q：
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手机网站：
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