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IXYS
IGBT 300V 75A 540W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH120N30B3
仓库库存编号：
IXGH120N30B3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 540W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH120N30C3
仓库库存编号：
IXGH120N30C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 35A DO-203AB
型号：
VS-1N1189
仓库库存编号：
VS-1N1189-ND
别名：*1N1189
1N1189
1N1189-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 35A DO-203AB
型号：
VS-1N1189R
仓库库存编号：
VS-1N1189R-ND
别名：*1N1189R
1N1189R
1N1189R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE
详细描述：标准 表面贴装 二极管 2A Powermite
型号：
UPR60/TR13
仓库库存编号：
UPR60/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE
详细描述：标准 表面贴装 二极管 2A Powermite
型号：
UPR60/TR7
仓库库存编号：
UPR60/TR7-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ISO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45A Through Hole TO-247-3
型号：
DSA90C200HR
仓库库存编号：
DSA90C200HR-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
PWR MODULE 600V 5A 26DIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600V 5A 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm)
型号：
STGIPQ5C60T-HLS
仓库库存编号：
STGIPQ5C60T-HLS-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
PWR MODULE 600V 5A 26DIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600V 5A 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm)
型号：
STGIPQ5C60T-HZS
仓库库存编号：
STGIPQ5C60T-HZS-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 175A 45V POWERTAB
详细描述：肖特基 通孔 二极管 175A PowerTab?
型号：
VS-175BGQ045HF4
仓库库存编号：
VS-175BGQ045HF4-ND
别名：VS175BGQ045HF4
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Semtech Corporation
D MET 1A FAST 400V
详细描述：标准 通孔 二极管 2A 轴向
型号：
1N5617
仓库库存编号：
1N5617S-ND
别名：1N5617S
产品分类：分立半导体产品,
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JANTXV1N748A-1
仓库库存编号：
1086-20095-ND
别名：1086-20095
1086-20095-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JANTXV1N754A-1
仓库库存编号：
1086-20176-ND
别名：1086-20176
1086-20176-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JANTXV1N755A-1
仓库库存编号：
1086-20191-ND
别名：1086-20191
1086-20191-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V 30A
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30A Through Hole ISOPLUS247?
型号：
DSSK60-015AR
仓库库存编号：
DSSK60-015AR-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
IXTH64N10L2
仓库库存编号：
IXTH64N10L2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
IXTH80N075L2
仓库库存编号：
IXTH80N075L2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 12A（DC） PG-TO247-3
型号：
IDW12G65C5XKSA1
仓库库存编号：
IDW12G65C5XKSA1-ND
别名：SP001633166
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 60A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号：
VS-1N2128RA
仓库库存编号：
VS-1N2128RA-ND
别名：*1N2128RA
1N2128RA
1N2128RA-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH32N100A3
仓库库存编号：
IXGH32N100A3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 140A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH140P05T
仓库库存编号：
IXTH140P05T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N90P
仓库库存编号：
IXFH12N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号：
NGTG40N120FL2WG
仓库库存编号：
NGTG40N120FL2WG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE STD REC 1400V 50A DO5
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 50A DO-203AB（DO-5）
型号：
VS-50PF140
仓库库存编号：
VS-50PF140-ND
别名：VS50PF140
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 54A 390W TO247
详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247
型号：
HGTG18N120BN
仓库库存编号：
HGTG18N120BN-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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