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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT15F60B
仓库库存编号：
APT15F60B-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 600V ISOPLUS247
详细描述：IGBT Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR48N60B3D4A
仓库库存编号：
IXGR48N60B3D4A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 200V 150A POWERTAB
详细描述：标准 通孔 二极管 150A PowerTab?
型号：
VS-150EBU02HF4
仓库库存编号：
VS-150EBU02HF4-ND
别名：VS150EBU02HF4
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 1PH 1200V SIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 25A Through Hole 4-SIP
型号：
GBO25-12NO1
仓库库存编号：
GBO25-12NO1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE STD RECOVERY 95A DO-5
详细描述：标准型， 反极性 接线柱安装 二极管 95A DO-203AB（DO-5）
型号：
VS-95PFR160W
仓库库存编号：
VS-95PFR160W-ND
别名：VS95PFR160W
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH160N15T2
仓库库存编号：
IXFH160N15T2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 40A 150W TO263
详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号：
IXGA20N100
仓库库存编号：
IXGA20N100-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH72N60B3
仓库库存编号：
IXGH72N60B3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 20A 85W TO268
详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268AA
型号：
IXA12IF1200TC
仓库库存编号：
IXA12IF1200TC-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50P
仓库库存编号：
IXFT30N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N60P
仓库库存编号：
IXFT26N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH110N25T
仓库库存编号：
IXFH110N25T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R080P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R080P7XKSA1-ND
别名：SP001658398
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 129W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R080P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R080P7XKSA1-ND
别名：SP001647034
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 600V TO-247
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH40N60A3D1
仓库库存编号：
IXGH40N60A3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 12A（DC） PG-TO220-2-1
型号：
IDH12G65C5XKSA2
仓库库存编号：
IDH12G65C5XKSA2-ND
别名：SP001595936
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N20P
仓库库存编号：
IXTH96N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 36A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） TO-268
型号：
IXTT36P10
仓库库存编号：
IXTT36P10-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH17N100A
仓库库存编号：
IXGH17N100A-ND
别名：IXGH20N100A3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-203AA
型号：
VS-16FLR40S02
仓库库存编号：
VS-16FLR40S02-ND
别名：*16FLR40S02
16FLR40S02
16FLR40S02-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 6A DO-203AA
型号：
VS-6FLR60S02
仓库库存编号：
VS-6FLR60S02-ND
别名：*6FLR60S02
6FLR60S02
6FLR60S02-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC SCHOTTKY RECTIFIER
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 30A (DC) Through Hole TO-247-3
型号：
GP2D020A065U
仓库库存编号：
GP2D020A065U-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IC SCR 50A 600V RD91-3
详细描述：SCR 600V Standard Recovery Chassis Mount RD91
型号：
BTW67-600
仓库库存编号：
497-6679-ND
别名：497-6679
BTW67-600-ND
BTW67600
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Semtech Corporation
Z MET 10V
详细描述：Zener Diode 1.5W ±5% Through Hole Axial
型号：
1N4465
仓库库存编号：
1N4465S-ND
别名：1N4465S
产品分类：分立半导体产品,
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Semtech Corporation
Z MET 150V
详细描述：Zener Diode 1.5W ±5% Through Hole Axial
型号：
1N4493
仓库库存编号：
1N4493S-ND
别名：1N4493S
产品分类：分立半导体产品,
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