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IXYS
IGBT 1200V 48A 250W TO263
详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号：
IXGA24N120C3
仓库库存编号：
IXGA24N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号：
IXGP15N120B
仓库库存编号：
IXGP15N120B-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N80P
仓库库存编号：
IXFH14N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N50P3
仓库库存编号：
IXFH16N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 150V 60A DO5
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号：
1N2130A
仓库库存编号：
1242-1093-ND
别名：1242-1093
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOD SPM 500V 1.5A SPM23-HD
详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1.5A 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm)
型号：
FSB50450UD
仓库库存编号：
FSB50450UD-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-12FL60S05
仓库库存编号：
VS-12FL60S05-ND
别名：*12FL60S05
12FL60S05
12FL60S05-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-12FLR60S05
仓库库存编号：
VS-12FLR60S05-ND
别名：*12FLR60S05
12FLR60S05
12FLR60S05-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N3671A
仓库库存编号：
1N3671AGN-ND
别名：1N3671AGN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
S12K
仓库库存编号：
S12KGN-ND
别名：S12KGN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-203AA
型号：
VS-16FL20S02
仓库库存编号：
VS-16FL20S02-ND
别名：*16FL20S02
16FL20S02
16FL20S02-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
FGH75T65UPD_F155
仓库库存编号：
FGH75T65UPD_F155-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号：
FR6DR02
仓库库存编号：
FR6DR02GN-ND
别名：FR6DR02GN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-4
型号：
FR6DR05
仓库库存编号：
FR6DR05GN-ND
别名：FR6DR05GN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号：
1N2129AR
仓库库存编号：
1N2129ARGN-ND
别名：1N2129ARGN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N3890R
仓库库存编号：
1N3890RGN-ND
别名：1N3890RGN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A（DC） PG-TO220-2-1
型号：
IDH10G65C5XKSA2
仓库库存编号：
IDH10G65C5XKSA2-ND
别名：SP001632410
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 56A 250W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GP60BDQ1G
仓库库存编号：
APT15GP60BDQ1G-ND
别名：APT15GP60BDQ1GMP
APT15GP60BDQ1GMP-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
STGW25H120DF2
仓库库存编号：
497-14714-5-ND
别名：497-14714-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 140A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA140P05T
仓库库存编号：
IXTA140P05T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA16N60P3
仓库库存编号：
IXFA16N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE STD REC 1400V 50A DO5
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 50A DO-203AB（DO-5）
型号：
VS-50PFR140
仓库库存编号：
VS-50PFR140-ND
别名：VS50PFR140
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-4
型号：
FR16JR02
仓库库存编号：
FR16JR02GN-ND
别名：FR16JR02GN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-4
型号：
FR16JR05
仓库库存编号：
FR16JR05GN-ND
别名：FR16JR05GN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-203AA
型号：
VS-16FL60S02
仓库库存编号：
16FL60S02-ND
别名：*16FL60S02
16FL60S02
VS-16FL60S02-ND
VS16FL60S02
VS16FL60S02-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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