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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB33N60ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB33N60ET1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,
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ON Semiconductor
IGBT 650V 80A 366W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
NGTB40N65FL2WG
仓库库存编号：
NGTB40N65FL2WGOS-ND
别名：NGTB40N65FL2WGOS
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT FIELD STOP 1200V TO247-4
详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247-4L
型号：
NGTB40N120FL2WAG
仓库库存编号：
NGTB40N120FL2WAG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE HEXFRED 8A 1200V TO-247AC
详细描述：标准 通孔 二极管 8A TO-247AC 改进型
型号：
VS-HFA08PB120-N3
仓库库存编号：
VS-HFA08PB120-N3-ND
别名：VSHFA08PB120N3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA180N10T2
仓库库存编号：
IXFA180N10T2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 230A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA230N075T2
仓库库存编号：
IXFA230N075T2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Ta） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
RJK0602DPN-E0#T2
仓库库存编号：
RJK0602DPN-E0#T2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 300W TO247AD
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH60N30C3
仓库库存编号：
IXGH60N30C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY 300V 30A ISOPLUS220
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 30A Through Hole ISOPLUS220?
型号：
DPG30P300PJ
仓库库存编号：
DPG30P300PJ-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 20A 85W TO220
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号：
IXA12IF1200PB
仓库库存编号：
IXA12IF1200PB-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 220W TO263
详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号：
IXGA30N60C3D4
仓库库存编号：
IXGA30N60C3D4-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N3890R
仓库库存编号：
1N3890R-ND
别名：*1N3890R
1N3890R
VS-1N3890R-ND
VS1N3890R
VS1N3890R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 模具
型号：
EPC2019ENG
仓库库存编号：
917-1055-1-ND
别名：917-1055-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 50A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB50N60SWG
仓库库存编号：
NGTB50N60SWG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 650V DO-247
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 20A DO-247
型号：
STPSC20065W
仓库库存编号：
STPSC20065W-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Semtech Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1A
型号：
PFF0
仓库库存编号：
PFF0-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2X8A TO
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 24A (DC) Through Hole TO-247-3
型号：
GP2D016A120U
仓库库存编号：
GP2D016A120U-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP24N60X
仓库库存编号：
IXFP24N60X-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO247AC
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 15A Through Hole TO-247-3
型号：
VS-30CPQ080PBF
仓库库存编号：
30CPQ080PBF-ND
别名：*30CPQ080PBF
30CPQ080PBF
VS-30CPQ080PBF-ND
VS30CPQ080PBF
VS30CPQ080PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-203AA
型号：
VS-16FLR20S02
仓库库存编号：
VS-16FLR20S02-ND
别名：*16FLR20S02
16FLR20S02
16FLR20S02-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 6A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 6A DO-203AA
型号：
VS-6FR80
仓库库存编号：
VS-6FR80-ND
别名：*6FR80
6FR80
6FR80-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 6A DO-203AA
型号：
VS-6FR20
仓库库存编号：
VS-6FR20-ND
别名：*6FR20
6FR20
6FR20-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 6A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 6A DO-203AA
型号：
VS-6F80
仓库库存编号：
VS-6F80-ND
别名：*6F80
6F80
6F80-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 6A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 6A DO-203AA
型号：
VS-6F40
仓库库存编号：
VS-6F40-ND
别名：*6F40
6F40
6F40-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE FRED 30A 600V TO-247
详细描述：标准 通孔 二极管 30A TO-247AC 改进型
型号：
VS-30EPH06HN3
仓库库存编号：
VS-30EPH06HN3-ND
别名：VS30EPH06HN3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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