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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N754A-1
仓库库存编号：
1086-15233-ND
别名：1086-15233-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 10V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N758A-1
仓库库存编号：
1086-15234-ND
别名：1086-15234-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N759A-1
仓库库存编号：
1086-15236-ND
别名：1086-15236-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N746A-1
仓库库存编号：
1086-20063-ND
别名：1086-20063
1086-20063-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N748A-1
仓库库存编号：
1086-20094-ND
别名：1086-20094
1086-20094-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JAN1N753A-1
仓库库存编号：
1086-20162-ND
别名：1086-20162
1086-20162-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号：
FGH40T70SHD_F155
仓库库存编号：
FGH40T70SHD_F155-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
650V FS4 TRENCH IGBT
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号：
FGH50T65SQD_F155
仓库库存编号：
FGH50T65SQD_F155-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 1000V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2510(UM)E4/51
仓库库存编号：
GBPC2510(UM)E4/51-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V TO-247
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH20N120IH
仓库库存编号：
IXGH20N120IH-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） TO-251
型号：
IXTU06N120P
仓库库存编号：
IXTU06N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1R4N120P
仓库库存编号：
IXTP1R4N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.75W（Ta），90W（Tc） TO-220-3
型号：
2SK4094-1E
仓库库存编号：
2SK4094-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N1204A
仓库库存编号：
1242-1026-ND
别名：1242-1026
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
S12G
仓库库存编号：
S12GGN-ND
别名：S12GGN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Semtech Corporation
DIODE GEN PURP 2KV 2A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 2A 轴向
型号：
2T2KA
仓库库存编号：
2T2KA-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Semtech Corporation
DIODE GEN PURP 12KV 3MA AXIAL
详细描述：标准 二极管 3mA
型号：
PF140
仓库库存编号：
PF140-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Littelfuse Inc.
SCR NON-SENS 600V 35A ISO TO218X
详细描述：SCR 600V Standard Recovery Through Hole TO-218X Isolated
型号：
S6035JTP
仓库库存编号：
S6035JTP-ND
别名：S6035J
S6035J-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220F
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
型号：
STPS20200CFP
仓库库存编号：
497-13730-5-ND
别名：497-13730-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA90N15T
仓库库存编号：
IXTA90N15T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO263AA
详细描述：IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号：
IXGA12N100
仓库库存编号：
IXGA12N100-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 44A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA44N30T
仓库库存编号：
IXTA44N30T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 400W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA50N25T
仓库库存编号：
IXTA50N25T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHFB20N50K-E3
仓库库存编号：
SIHFB20N50K-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3P
型号：
FGA50N100BNTDTU
仓库库存编号：
FGA50N100BNTDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Q Q：
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