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IXYS
DIODE GEN PURP 1800V 30A TO247
详细描述：标准 通孔 二极管 30A TO-247
型号：
DMA30E1800HA
仓库库存编号：
DMA30E1800HA-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC
详细描述：标准 通孔 二极管 6A TO-247AC 改进型
型号：
VS-HFA06PB120PBF
仓库库存编号：
HFA06PB120PBF-ND
别名：*HFA06PB120PBF
HFA06PB120PBF
VS-HFA06PB120PBF-ND
VSHFA06PB120PBF
VSHFA06PB120PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 250V 17A TO264
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30MHz Through Hole TO-264
型号：
FJL4215OTU
仓库库存编号：
FJL4215OTU-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP460P2
仓库库存编号：
IXTP460P2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECTIFIER 400V 6.0A D-72
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole D-72
型号：
VS-KBPC604
仓库库存编号：
VS-KBPC604GI-ND
别名：KBPC604
KBPC604-ND
Q2424385
VS-KBPC604-ND
VS-KBPC604GI
VSKBPC604
VSKBPC604-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Broadcom Limited
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 4.5V 280mA 2GHz 15dB 29dBm 8-LPCC (2x2)
型号：
ATF-501P8-TR2
仓库库存编号：
ATF-501P8-TR2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
型号：
TK10Q60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK10Q60WS1VQ-ND
别名：TK10Q60W,S1VQ(S
TK10Q60WS1VQ
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN80R450P7XKSA1
仓库库存编号：
IPAN80R450P7XKSA1-ND
别名：SP001632932
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK15A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK15A60D(STA4QM)-ND
别名：TK15A60D(STA4QM)
TK15A60DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R6018ANJTL
仓库库存编号：
R6018ANJTL-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD40N10-25_GE3
仓库库存编号：
SQD40N10-25_GE3-ND
别名：SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA130N10T2
仓库库存编号：
IXFA130N10T2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 800V 45A TO247AD
详细描述：标准 通孔 二极管 45A TO-247AD
型号：
DSI45-08A
仓库库存编号：
DSI45-08A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 333W TO247AD
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH85N30C3
仓库库存编号：
IXGH85N30C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 48A 235W TO3P
详细描述：IGBT Through Hole TO-3PN
型号：
SGH30N60RUFDTU
仓库库存编号：
SGH30N60RUFDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 35A TO247AC
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35A Through Hole TO-247-3
型号：
VS-72CPQ030-N3
仓库库存编号：
VS-72CPQ030-N3-ND
别名：VS72CPQ030N3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 180V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N5279B
仓库库存编号：
1N5279BMS-ND
别名：1N5279BMS
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35
详细描述：标准 通孔 二极管 150mA DO-35
型号：
JAN1N3595A-1
仓库库存编号：
1086-16787-ND
别名：1086-16787
1086-16787-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N1199AR
仓库库存编号：
1242-1028-ND
别名：1242-1028
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 6A DO-4
型号：
S6D
仓库库存编号：
S6DGN-ND
别名：S6DGN
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ULT FAST 5A 50V SMCG
详细描述：二极管
型号：
UFS505G/TR13
仓库库存编号：
UFS505G/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 100V 5A DO215AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 5A DO-215AB
型号：
UFS510G/TR13
仓库库存编号：
UFS510G/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 150V 5A DO215AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 5A DO-215AB
型号：
UFS515G/TR13
仓库库存编号：
UFS515G/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 5A DO215AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 5A DO-215AB
型号：
UFS520G/TR13
仓库库存编号：
UFS520G/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 300V 5A DO215AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 5A DO-215AB
型号：
UFS530G/TR13
仓库库存编号：
UFS530G/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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