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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 6A(DC) D2PAK
型号:
VS-HFA06TB120STRLP
仓库库存编号:
VS-HFA06TB120STRLP-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 6A(DC) D2PAK
型号:
VS-HFA06TB120STRRP
仓库库存编号:
VS-HFA06TB120STRRP-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Ta) 283W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB5860NLT4G
仓库库存编号:
NVB5860NLT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 8A 40W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP4N100
仓库库存编号:
IXGP4N100-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, SCHOTTKY, , 50A, 45V, ARS
详细描述:标准 表面贴装 二极管 50A ARS
型号:
ARS5045 B0G
仓库库存编号:
ARS5045 B0G-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 650V 60A 167W TO247
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
NGTG35N65FL2WG
仓库库存编号:
NGTG35N65FL2WGOS-ND
别名:NGTG35N65FL2WGOS
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Ta),269A(Tc) 2.7W(Ta), 104W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H013NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4H013NFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY GP 600V 15A D2PAK
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号:
VS-HFA30TA60CSPBF
仓库库存编号:
VS-HFA30TA60CSPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 37A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 417W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB42S60L
仓库库存编号:
AOB42S60L-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 600V 60A 208W TO247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247
型号:
AOK30B60D
仓库库存编号:
AOK30B60D-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 29.5A TO263
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 29.5A TO-263-2
型号:
C3D10060G-TR
仓库库存编号:
C3D10060G-TR-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHG16N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60EL-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N60EL-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5021ANJTL
仓库库存编号:
R5021ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 17V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5537B
仓库库存编号:
1N5537B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 18V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5538B
仓库库存编号:
1N5538B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 19V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5539B
仓库库存编号:
1N5539B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 22V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5541B
仓库库存编号:
1N5541B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 24V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5542B
仓库库存编号:
1N5542B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 25V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5543B
仓库库存编号:
1N5543B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 28V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5544B
仓库库存编号:
1N5544B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 30V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5545B
仓库库存编号:
1N5545B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 33V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N5546B
仓库库存编号:
1N5546B-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-247-3
型号:
RHRG3060CC
仓库库存编号:
RHRG3060CC-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO263AA
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA48N60C3
仓库库存编号:
IXGA48N60C3-ND
产品分类:分立半导体产品,
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