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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA130N10T7
仓库库存编号：
IXTA130N10T7-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
详细描述：标准 通孔 二极管 30A TO-220AC
型号：
DHG30I600PA
仓库库存编号：
DHG30I600PA-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA170N075T2
仓库库存编号：
IXTA170N075T2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA130N10T
仓库库存编号：
IXFA130N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A55D(STA4QM)-ND
别名：TK12A55D(STA4QM)
TK12A55DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
型号：
ALD114935PAL
仓库库存编号：
1014-1067-ND
别名：1014-1067
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY 1200V 11A ISOPLUS220
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 11A Through Hole ISOPLUS220?
型号：
DSP8-12AC
仓库库存编号：
DSP8-12AC-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE INPUT 20A 200V D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 20A TO-263AB（D2PAK）
型号：
VS-20ETF02STRLPBF
仓库库存编号：
VS-20ETF02STRLPBF-ND
别名：VS20ETF02STRLPBF
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE INPUT 20A 200V D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 20A TO-263AB（D2PAK）
型号：
VS-20ETF02STRRPBF
仓库库存编号：
VS-20ETF02STRRPBF-ND
别名：VS20ETF02STRRPBF
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE INPUT 20A 400V D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 20A TO-263AB（D2PAK）
型号：
VS-20ETF04STRLPBF
仓库库存编号：
VS-20ETF04STRLPBF-ND
别名：VS20ETF04STRLPBF
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE STANDARD 200V 40A TO247AC
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 40A Through Hole TO-247-3
型号：
VS-80CPU02-F3
仓库库存编号：
VS-80CPU02-F3-ND
别名：VS80CPU02F3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 352A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C404NLTWFT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C404NLTWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 110V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N6025A
仓库库存编号：
1N6025A-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 120V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N6026A
仓库库存编号：
1N6026A-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 130V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N6027A
仓库库存编号：
1N6027A-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 150V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N6028A
仓库库存编号：
1N6028A-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 160V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N6029A
仓库库存编号：
1N6029A-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 180V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N6030A
仓库库存编号：
1N6030A-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 200V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±10% Through Hole DO-35
型号：
1N6031A
仓库库存编号：
1N6031A-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK13A55DA(STA4,QM)
仓库库存编号：
TK13A55DA(STA4QM)-ND
别名：TK13A55DA(STA4QM)
TK13A55DASTA4QM
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Broadcom Limited
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 4.5V 200mA 2GHz 17dB 26.5dBm 8-LPCC (2x2)
型号：
ATF-521P8-TR2
仓库库存编号：
ATF-521P8-TR2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA4N100P
仓库库存编号：
IXFA4N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 12A TO-247
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH12N120A2D1
仓库库存编号：
IXGH12N120A2D1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 TO-3P
型号：
IXTQ36N20T
仓库库存编号：
IXTQ36N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ56N15T
仓库库存编号：
IXTQ56N15T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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