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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R750P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R750P7AKMA1-ND
别名：SP001644628
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263AB
型号：
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRLP-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRRP-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS305J/TR13
仓库库存编号：
UFS305J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS310J/TR13
仓库库存编号：
UFS310J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS315J/TR13
仓库库存编号：
UFS315J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS320J/TR13
仓库库存编号：
UFS320J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS330J/TR13
仓库库存编号：
UFS330J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS340J/TR13
仓库库存编号：
UFS340J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS350J/TR13
仓库库存编号：
UFS350J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS360J/TR13
仓库库存编号：
UFS360J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 700V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS370J/TR13
仓库库存编号：
UFS370J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB
型号：
UFS380J/TR13
仓库库存编号：
UFS380J/TR13-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640STRRPBF
仓库库存编号：
IRL640STRRPBF-ND
别名：Q4322190B
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF840LCSTRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Ta） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX330N25
仓库库存编号：
RCX330N25-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V D2PAK
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 20A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号：
VS-42CTQ030STRRPBF
仓库库存编号：
VS-42CTQ030STRRPBF-ND
别名：VS42CTQ030STRRPBF
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3506T
仓库库存编号：
GBPC3506TGN-ND
别名：GBPC3506T/WGN
GBPC3506T/WGN-ND
GBPC3506TW
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3508T
仓库库存编号：
GBPC3508TGN-ND
别名：GBPC3508T/WGN
GBPC3508T/WGN-ND
GBPC3508TW
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3506W
仓库库存编号：
GBPC3506WGS-ND
别名：GBPC3506WGS
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC
型号：
GBPC3510T
仓库库存编号：
GBPC3510T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Ta） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA180N10BT4H
仓库库存编号：
NDBA180N10BT4H-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
TRIAC 600V 12A
详细描述：TRIAC Standard 600V Through Hole TO-220F
型号：
BCR12PM-12LA#B00
仓库库存编号：
BCR12PM-12LA#B00-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO220AB
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 20A Through Hole TO-220-3
型号：
STPS40M80CT
仓库库存编号：
497-11360-5-ND
别名：497-11360-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 10V 3W DO216AA
详细描述：Zener Diode 3W ±2% Surface Mount DO-216AA
型号：
1PMT5925C/TR7
仓库库存编号：
1PMT5925C/TR7-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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邮箱：
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