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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP18N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP18N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  SCR 800V 10A TO-220AB
  详细描述：SCR 800V Standard Recovery Through Hole TO-220AB
  
  型号：VS-10TTS08-M3
  仓库库存编号：VS-10TTS08-M3-ND
  别名：VS10TTS08M3
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  SCR 800V 12.5A TO-220
  详细描述：SCR 800V Standard Recovery Through Hole TO-220AB
  
  型号：VS-12TTS08-M3
  仓库库存编号：VS-12TTS08-M3-ND
  别名：VS12TTS08M3
  
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2420
  仓库库存编号：2SK2420-ND
  别名：2SK2420 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
  详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPA025A120MN-ND
  仓库库存编号：1560-1218-5-ND
  别名：1560-1218-1
  1560-1218-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8052-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8052-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCA8052-H(TE12LQMCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB9406_F085
  仓库库存编号：FDB9406_F085CT-ND
  别名：FDB9406_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44STRLPBF-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 110A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM110N05-06L_GE3
  仓库库存编号：SQM110N05-06L_GE3-ND
  别名：SQM110N05-06L-GE3
  SQM110N05-06L-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N02-1M3L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N02-1M3L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SQM200N04-1M8_GE3
  仓库库存编号：SQM200N04-1M8_GE3-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1N80P
  仓库库存编号：IXTY1N80P-ND
  
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  DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
  详细描述：标准 通孔 二极管 10A TO-220AC
  
  型号：DHG10I1200PA
  仓库库存编号：DHG10I1200PA-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 50W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1N100P
  仓库库存编号：IXTA1N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N100P
  仓库库存编号：IXTP08N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N100P
  仓库库存编号：IXTP1N100P-ND
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, SCHOTTKY, STANDARD, 40A,
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40A Through Hole TO-247-3
  
  型号：SR4060PTHC0G
  仓库库存编号：SR4060PTHC0G-ND
  
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 1KV 12A TO263
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 1000V (1kV) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：QK012NH5RP
  仓库库存编号：QK012NH5RP-ND
  别名：QK012NH5 RP
  QK012NH5 RP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE HYPERFAST 15A TO-262
  详细描述：标准 通孔 二极管 15A TO-262AA
  
  型号：VS-ETH1506-1HM3
  仓库库存编号：VS-ETH1506-1HM3-ND
  别名：VSETH15061HM3
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE HYPERFAST 15A D2PAK
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 15A TO-263AB（D2PAK）
  
  型号：VS-ETH1506SHM3
  仓库库存编号：VS-ETH1506SHM3-ND
  别名：VSETH1506SHM3
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 20A TO-263（D2Pak）
  
  型号：VS-20ETF06STRL-M3
  仓库库存编号：VS-20ETF06STRL-M3-ND
  
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO263
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：Q6016NH4TP
  仓库库存编号：Q6016NH4TP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A TO263
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 800V Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：Q8012NH5TP
  仓库库存编号：Q8012NH5TP-ND
  
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A TO2
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 800V Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：Q8012NH2TP
  仓库库存编号：Q8012NH2TP-ND
  
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• Texas Instruments
  N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16415Q5T
  仓库库存编号：CSD16415Q5T-ND
  
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