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• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 10V 500MW DO213AA
  详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
  
  型号：JANTX1N758AUR-1
  仓库库存编号：1086-15466-ND
  别名：1086-15466-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,
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  含铅
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• STMicroelectronics
  FET RF 65V 960MHZ PWRSO10
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 10mA 960MHz 15dB 2W 10-PowerSO
  
  型号：PD57002-E
  仓库库存编号：497-5304-5-ND
  别名：497-5304-5
  PD57002E
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• IXYS
  DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247AD
  详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 30A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
  
  型号：DSEE30-12A
  仓库库存编号：DSEE30-12A-ND
  别名：DSEE3012A
  Q1921175
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N20
  仓库库存编号：IXFH50N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6076ENZ1C9
  仓库库存编号：R6076ENZ1C9-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB
  详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 85A DO-203AB
  
  型号：VS-85HF40
  仓库库存编号：85HF40-ND
  别名：*85HF40
  85HF40
  VS-85HF40-ND
  VS85HF40
  VS85HF40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT90P10P
  仓库库存编号：IXTT90P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT48P20P
  仓库库存编号：IXTT48P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 1KV 40A TO218
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 1000V (1kV) 40A Through Hole TO-218 Isolated Tab
  
  型号：QK040K7TP
  仓库库存编号：F5452-ND
  别名：F5452
  QK040K7TP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：TK62N60X,S1F
  仓库库存编号：TK62N60XS1F-ND
  别名：TK62N60X,S1F(S
  TK62N60XS1F
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Rohm Semiconductor
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 10A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：SCS220AE2C
  仓库库存编号：SCS220AE2C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• IXYS
  IGBT 1700V 32A 190W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 32A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH16N170
  仓库库存编号：IXGH16N170-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT13F120B
  仓库库存编号：APT13F120B-ND
  别名：APT13F120BMI
  APT13F120BMI-ND
  
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• Transphorm
  GAN FET 650V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3208PS
  仓库库存编号：TPH3208PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296190
  
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH7P50
  仓库库存编号：IXTH7P50-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 77A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 592W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N60E
  仓库库存编号：FCH041N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB
  详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 70A DO-203AB
  
  型号：VS-70HF80
  仓库库存编号：70HF80-ND
  别名：*70HF80
  70HF80
  VS-70HF80-ND
  VS70HF80
  VS70HF80-ND
  
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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LD
  仓库库存编号：TPH3206LD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LS
  仓库库存编号：TPH3206LS-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IPW65R045C7FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R045C7FKSA1-ND
  别名：SP000929412
  
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  MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 68.5A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R041CFD
  仓库库存编号：IPW65R041CFD-ND
  别名：IPW65R041CFDFKSA1
  SP000756288
  
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  MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 890W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH80N65X2
  仓库库存编号：IXFH80N65X2-ND
  别名：632463
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 68V 960MHZ TO270-2
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2
  
  型号：MW6S010NR1
  仓库库存编号：MW6S010NR1CT-ND
  别名：MW6S010NR1CT
  
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• Microsemi Corporation
  TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39
  
  型号：2N2219A
  仓库库存编号：2N2219AMS-ND
  别名：2N2219AMS
  
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