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M/A-Com Technology Solutions
TRANS RF NPN 35V 12A 316-01
详细描述：RF Transistor NPN 35V 12A 100W Chassis Mount 316-01, STYLE 1
型号：
MRF317
仓库库存编号：
1465-1178-ND
别名：1465-1178
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Littelfuse Inc.
RECTIFIER MOD 1800V 200A DUAL DK
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200A Chassis Mount S-3 Module
型号：
MD18200S-DKM2MM
仓库库存编号：
F6477-ND
别名：F6477
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Littelfuse Inc.
RECTIFIER MOD 1800V 200A DUAL B
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 200A Chassis Mount S-3 Module
型号：
MD18200S-BM2MM
仓库库存编号：
F6469-ND
别名：F6469
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 56V 6W AXIAL
详细描述：Zener Diode 6W ±5% Through Hole
型号：
UZ7756L
仓库库存编号：
UZ7756L-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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STMicroelectronics
IC TRANS RF/VHF DMOS M174MR
详细描述：RF Mosfet N-Channel 50V 250mA 175MHz 15dB 150W M174MR
型号：
SD2931-12MR
仓库库存编号：
497-14055-ND
别名：497-14055
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 10A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 5W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTX2N3716
仓库库存编号：
1086-15511-ND
别名：1086-15511-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Littelfuse Inc.
IGBT 1200V 150A 690W PKG S
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 690W Chassis Mount S3
型号：
MG12105S-BA1MM
仓库库存编号：
F6497-ND
别名：F6497
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2013J-883B
仓库库存编号：
1259-1108-ND
别名：1259-1108
1259-1108-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 70V 15A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 70V 15A 6W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JANTX2N3055
仓库库存编号：
1086-15502-ND
别名：1086-15502-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET MODULE 1200V 25A
详细描述：Mosfet Array
型号：
DF23MR12W1M1B11BOMA1
仓库库存编号：
DF23MR12W1M1B11BOMA1-ND
别名：SP001602244
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTCV60HM45RT3G
仓库库存编号：
APTCV60HM45RT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 900mA 220MHz 25.5dB 300W TO-272 WB-4
型号：
MRF6V2300NBR5
仓库库存编号：
MRF6V2300NBR5CT-ND
别名：MRF6V2300NBR5CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
FET RF 65V 150MHZ 211-11
详细描述：RF Mosfet N-Channel 28V 250mA 30MHz ~ 150MHz 6dB ~ 15dB 150W 211-11, Style 2
型号：
MRF140
仓库库存编号：
1465-1149-ND
别名：1465-1149
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60AM45BC1G
仓库库存编号：
APTC60AM45BC1G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 200A HALF-PAK
详细描述：标准 底座安装 二极管 200A HALF-PAK
型号：
HU20260
仓库库存编号：
HU20260-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 110V 860MHZ TO272-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-272 WB-4
型号：
MRF6V3090NBR5
仓库库存编号：
MRF6V3090NBR5CT-ND
别名：MRF6V3090NBR5CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTCV60HM45BT3G
仓库库存编号：
APTCV60HM45BT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 45A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GHXS045A120S-D3
仓库库存编号：
1560-1152-5-ND
别名：1560-1152
1560-1152-5
1560-1152-ND
GHXS045A120SD3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 45A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GHXS045A120S-D4
仓库库存编号：
1560-1153-5-ND
别名：1560-1153
1560-1153-5
1560-1153-ND
GHXS045A120SD4
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APL1001J
仓库库存编号：
APL1001J-ND
别名：APL1001JMI
APL1001JMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 290A 625W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT200DU60TG
仓库库存编号：
APTGT200DU60TG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.02GHz 14.5dB 8W CDFM4
型号：
BLD6G21LS-50,112
仓库库存编号：
568-8664-5-ND
别名：568-8664-5
934063509112
BLD6G21LS-50,112-ND
BLD6G21LS50112
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 220A 750W Chassis Mount SP2
型号：
APTGL180A1202G
仓库库存编号：
APTGL180A1202G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE FAST REC S-PKG
详细描述：标准 通孔 二极管 570mA S，轴向
型号：
MC5616
仓库库存编号：
1086-15610-ND
别名：1086-15610-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 200mA 1.88GHz ~ 2.03GHz 15dB 22.5W 6-DFM
型号：
BLC8G21LS-160AVY
仓库库存编号：
568-12762-1-ND
别名：568-12762-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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