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Global Power Technologies Group
MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Chassis Mount SOT-227
型号：
GHXS010A060S-D1E
仓库库存编号：
1560-1136-5-ND
别名：1560-1136
1560-1136-5
1560-1136-ND
GHXS010A060SD1E
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 130A 431W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT65GP60J
仓库库存编号：
APT65GP60J-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1.75A
型号：
JANTXV1N6628
仓库库存编号：
1086-3035-ND
别名：1086-3035
1086-3035-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 40V 5W AXIAL
详细描述：Zener Diode 5W ±10% Through Hole
型号：
UZ5840
仓库库存编号：
UZ5840-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 36V 5W AXIAL
详细描述：Zener Diode 5W ±10% Through Hole
型号：
UZ5836
仓库库存编号：
UZ5836-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Global Power Technologies Group
IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 120A 312W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS060A060S-A2
仓库库存编号：
1560-1131-5-ND
别名：1560-1131
1560-1131-5
1560-1131-ND
GHIS060A060SA2
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MODULE SPM 600V 50A S32EA
详细描述：Power Driver Module IGBT 2 Phase 600V 50A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
型号：
FPAM50LH60
仓库库存编号：
FPAM50LH60-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 800V 165A SD2
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 165A Chassis Mount D2
型号：
MSKD165-08
仓库库存编号：
MSKD165-08-ND
别名：MSKD16508
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 192A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN210N30P3
仓库库存编号：
IXFN210N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB40N110Q3
仓库库存编号：
IXFB40N110Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 18V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JANTX1N4112DUR-1
仓库库存编号：
1086-15321-ND
别名：1086-15321-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Littelfuse Inc.
RECTIFIER MOD 1600V 90A DUAL B
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 90A Chassis Mount A-3 Module
型号：
MD1690A-BM2MM
仓库库存编号：
F6454-ND
别名：F6454
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 15A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GHXS015A120S-D3
仓库库存编号：
1560-1141-5-ND
别名：1560-1141
1560-1141-5
1560-1141-ND
GHXS015A120SD3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOP
型号：
BLP8G10S-45PGY
仓库库存编号：
568-12813-1-ND
别名：568-12813-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOPF
型号：
BLP8G10S-45PY
仓库库存编号：
568-12814-1-ND
别名：568-12814-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 130V 50W DO5
详细描述：Zener Diode 50W ±5% Chassis, Stud Mount DO-5
型号：
1N3344B
仓库库存编号：
1N3344B-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 33V 50W DO5
详细描述：Zener Diode 50W ±5% Chassis, Stud Mount DO-5
型号：
1N3325B
仓库库存编号：
1N3325B-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GHXS030A060S-D4
仓库库存编号：
1560-1148-5-ND
别名：1560-1148
1560-1148-5
1560-1148-ND
GHXS030A060SD4
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GHXS030A060S-D3
仓库库存编号：
1560-1147-5-ND
别名：1560-1147
1560-1147-5
1560-1147-ND
GHXS030A060SD3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 800V 45A DO203AB
详细描述：标准 接线柱安装 二极管 45A DO-203AB（DO-5）
型号：
S3480
仓库库存编号：
S3480-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 85A DO5
详细描述：标准 接线柱安装 二极管 85A（DC） DO-5
型号：
S30760
仓库库存编号：
S30760-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
搜索
Littelfuse Inc.
RECTIFIER MOD 1600V 110A DUAL B
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 110A Chassis Mount A-3 Module
型号：
MD16110A-BM2MM
仓库库存编号：
F6455-ND
别名：F6455
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 520W（Tc） TO-268
型号：
IXTT3N200P3HV
仓库库存编号：
IXTT3N200P3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 520W（Tc） TO-268
型号：
IXTT2N300P3HV
仓库库存编号：
IXTT2N300P3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
详细描述：标准 接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
JANTX1N1202A
仓库库存编号：
1086-15281-ND
别名：1086-15281-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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