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Global Power Technologies Group
IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 80A 277W Chassis Mount SOT-227
型号:
GHIS040A060S-A2
仓库库存编号:
1560-1129-5-ND
别名:1560-1129
1560-1129-5
1560-1129-ND
GHIS040A060SA2
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 67A(Tc) 694W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT50M65B2FLLG
仓库库存编号:
APT50M65B2FLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10045B2LLG
仓库库存编号:
APT10045B2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-268
型号:
IXTT4N150HV
仓库库存编号:
IXTT4N150HV-ND
产品分类:分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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M/A-Com Technology Solutions
FET RF 65V 500MHZ 305A-01
详细描述:RF Mosfet N-Channel 28V 25mA 500MHz 18dB 2W 305A-01, Style 2
型号:
MRF158
仓库库存编号:
1465-1158-ND
别名:1465-1158
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 36V 3W AXIAL
详细描述:Zener Diode 3W ±10% Through Hole
型号:
UZ836
仓库库存编号:
UZ836-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 2NPN 40V 0.5A TO-78
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 500mA 500MHz Through Hole TO-78-6
型号:
MD2369A
仓库库存编号:
MD2369A-ND
别名:MD2369A LEAD FREE
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 462W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT21M100J
仓库库存编号:
APT21M100J-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N4579A-1
仓库库存编号:
1N4579A-1-ND
产品分类:分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 87A 283W SOT-227
详细描述:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT47GA60JD40
仓库库存编号:
APT47GA60JD40-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 568W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N60Q3
仓库库存编号:
IXFR64N60Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Micro Commercial Co
MODULE FRED 200A 400V DUAL F4
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100A Chassis Mount F4 Module
型号:
MF200K04F4-BP
仓库库存编号:
MF200K04F4-BP-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 195W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N300P3HV
仓库库存编号:
IXTT1N300P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
POWER MOD RECT BRIDGE 3PH M2-1
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 100A Chassis Mount M2-1
型号:
MSDM100-16
仓库库存编号:
MSDM100-16-ND
别名:MSDM10016
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 690W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT10035LLLG
仓库库存编号:
APT10035LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 694W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8020LFLLG
仓库库存编号:
APT8020LFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12067B2FLLG
仓库库存编号:
APT12067B2FLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 100A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTH200W03TV1
仓库库存编号:
497-13400-ND
别名:497-13400
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 570W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N100Q3
仓库库存编号:
IXFR32N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTH2N300P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH1N450HV
仓库库存编号:
IXTH1N450HV-ND
产品分类:分立半导体产品,
不受无铅要求限制
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 23A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT22F100J
仓库库存编号:
APT22F100J-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT47F60J
仓库库存编号:
APT47F60J-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX22N100L
仓库库存编号:
IXTX22N100L-ND
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 20A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
GHXS020A060S-D4
仓库库存编号:
1560-1005-5-ND
别名:1560-1005
1560-1005-ND
GHXS020A060SD4
产品分类:分立半导体产品,
无铅
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邮箱:
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