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IXYS
MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR64N50Q3
仓库库存编号：
IXFR64N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N80Q3
仓库库存编号：
IXFX32N80Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 520W（Tc） TO-247
型号：
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号：
IXTH3N200P3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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Fairchild/ON Semiconductor
MODULE SPM MOTION CTRL SPM27-JA
详细描述：Power Driver Module 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
型号：
FSBF15CH60CT
仓库库存编号：
FSBF15CH60CT-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 15V 500MW B-SQ MELF
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF
型号：
JANTX1N6328US
仓库库存编号：
1086-15436-ND
别名：1086-15436-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE UFAST REC 880V 1.4A
详细描述：标准 通孔 二极管 1.4A
型号：
JANTX1N6629
仓库库存编号：
1086-2662-ND
别名：1086-2662
1086-2662-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT22F120B2
仓库库存编号：
APT22F120B2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N100Q3
仓库库存编号：
IXFX32N100Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 2A
型号：
JANTX1N6622
仓库库存编号：
1086-2649-ND
别名：1086-2649
1086-2649-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N50Q3
仓库库存编号：
IXFK80N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1.2A
型号：
JANTXV1N6622
仓库库存编号：
1086-3024-ND
别名：1086-3024
1086-3024-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM2
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 50A Chassis Mount SM2
型号：
MSD52-12
仓库库存编号：
MSD52-12-ND
别名：MSD5212
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N80Q3
仓库库存编号：
IXFR32N80Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 108A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL210N30P3
仓库库存编号：
IXFL210N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 35V 0.1A TO46
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 100mA 400mW Through Hole TO-46 (TO-206AB)
型号：
JANTXV2N2946A
仓库库存编号：
1086-3068-ND
别名：1086-3068
1086-3068-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT8024B2LLG
仓库库存编号：
APT8024B2LLG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N300P3HV-ND
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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Global Power Technologies Group
IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 60A 340W Chassis Mount SOT-227
型号：
GHIS030A120S-A2
仓库库存编号：
1560-1128-5-ND
别名：1560-1128
1560-1128-5
1560-1128-ND
GHIS030A120SA2
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 38A（Tc） 355W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT38F50J
仓库库存编号：
APT38F50J-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 430W ISOTOP
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 650V 165A 430W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT100GLQ65JU3
仓库库存编号：
APT100GLQ65JU3-ND
别名：Q10742722
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
POWER DRIVER IGBT 1200V SDIP-18L
详细描述：Power Driver Module IGBT 1 Phase 1200V 35A 18-PowerDIP Module (1.087", 27.60mm)
型号：
STGIPL35K120L1
仓库库存编号：
497-13438-ND
别名：497-13438
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT8024LFLLG
仓库库存编号：
APT8024LFLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX110N20L2
仓库库存编号：
IXTX110N20L2-ND
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N60Q3
仓库库存编号：
IXFX64N60Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT51M50J
仓库库存编号：
APT51M50J-ND
别名：APT51M50JMI
APT51M50JMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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