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分立半导体产品
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IXYS
IGBT 1200V 188A 1150W TO264
详细描述：IGBT 1200V 188A 1150W Through Hole TO-264 (IXYK)
型号：
IXYK100N120C3
仓库库存编号：
IXYK100N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 560W（Tc） MAX247?
型号：
STY60NM50
仓库库存编号：
497-2775-5-ND
别名：497-2775-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12V 1.5W D5A
详细描述：Zener Diode 1.5W ±5% Surface Mount D-5A
型号：
JANTXV1N4467US
仓库库存编号：
1086-15556-ND
别名：1086-15556-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 100A Chassis Mount ISOTOP
型号：
STTH200W04TV1
仓库库存编号：
497-13280-5-ND
别名：497-13280-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 200V 60A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X61D20J
仓库库存编号：
APT2X61D20J-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X60D40J
仓库库存编号：
APT2X60D40J-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM1
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 50A QC Terminal MSD
型号：
MSD50-12
仓库库存编号：
MSD50-12-ND
别名：MSD5012
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 3PH 800V 50A SM1
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 50A QC Terminal MSD
型号：
MSD50-08
仓库库存编号：
MSD50-08-ND
别名：MSD5008
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 1.2KV 100A D1
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 100A Chassis Mount D1
型号：
MSCD100-12
仓库库存编号：
MSCD100-12-ND
别名：MSCD10012
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 800V 100A D1
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100A Chassis Mount D1
型号：
MSKD100-08
仓库库存编号：
MSKD100-08-ND
别名：MSKD10008
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-263
型号：
IXTA4N150HV
仓库库存编号：
IXTA4N150HV-ND
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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IXYS
500V POLAR2 HIPERFETS
详细描述：底座安装 N 沟道 68A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN94N50P2
仓库库存编号：
IXFN94N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,
不适用
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB120N50P2
仓库库存编号：
IXFB120N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1A A，轴向
型号：
1N6625E3
仓库库存编号：
1N6625E3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX48N60Q3
仓库库存编号：
IXFX48N60Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX24N100Q3
仓库库存编号：
IXFX24N100Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50Q3
仓库库存编号：
IXFX64N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOD IPM SLLIMM 8PHASE 38SDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 30A 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm)
型号：
STGIPL30C60-H
仓库库存编号：
497-15541-5-ND
别名：497-15541-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
详细描述：表面贴装 N 沟道 210A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB210N30P3
仓库库存编号：
IXFB210N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 75A 277W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 75A 277W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT50GF60JU2
仓库库存编号：
APT50GF60JU2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK64N50Q3
仓库库存编号：
IXFK64N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK48N60Q3
仓库库存编号：
IXFK48N60Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N80Q3
仓库库存编号：
IXFK32N80Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N60P3
仓库库存编号：
IXFN80N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL132N50P3
仓库库存编号：
IXFL132N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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