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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG
型号：
RJK60S7DPK-M0#T0
仓库库存编号：
RJK60S7DPK-M0#T0-ND
别名：RJK60S7DPKM0T0
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 33A（DC） TO-252，（D-Pak）
型号：
LSIC2SD120C10
仓库库存编号：
F10088CT-ND
别名：F10088CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MODULE SPM 600V 10A SPMFA
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600V 10A 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm)
型号：
FNF51060TD1
仓库库存编号：
FNF51060TD1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS NPN 175V 1A TO-66
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 175V 1A 10MHz 35W Through Hole TO-66
型号：
2N3583
仓库库存编号：
2N3583-ND
别名：2N3583 LEAD FREE
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT94N30P3
仓库库存编号：
IXFT94N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名：RJK60S7DPPE0T2
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MODULE SPM 600V 10A SPMFA
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A 25-PowerDIP Module (0.815", 20.70mm)
型号：
FNB81060T3
仓库库存编号：
FNB81060T3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 11V 1.5W D5A
详细描述：Zener Diode 1.5W ±5% Surface Mount D-5A
型号：
1N4466US
仓库库存编号：
1N4466US-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MODULE SPM 600V 15A SPM55
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600V 15A 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm)
型号：
FNB51560TD1
仓库库存编号：
FNB51560TD1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 8.4V DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N3155AE3
仓库库存编号：
1N3155AE3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50Q3
仓库库存编号：
IXFT30N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT70N20Q3
仓库库存编号：
IXFT70N20Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N30Q3
仓库库存编号：
IXFT50N30Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 12A（DC） TO-220-2L
型号：
TRS12E65C,S1Q
仓库库存编号：
TRS12E65CS1Q-ND
别名：TRS12E65C,S1Q(S
TRS12E65CS1Q
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOD SPM 600V 10A SPM26-AA
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
型号：
FNA41060
仓库库存编号：
FNA41060-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 3A
型号：
JAN1N5551
仓库库存编号：
1086-2097-ND
别名：1086-2097
1086-2097-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N10Q
仓库库存编号：
IXFH80N10Q-ND
别名：IXFH80N10
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MODULE SPM 600V 15A SPM55
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600V 15A 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm)
型号：
FNB51560T1
仓库库存编号：
FNB51560T1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A D-5B
型号：
1N5552US
仓库库存编号：
1N5552US-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 240A 882W TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 240A 882W Through Hole PowerTO-247-3
型号：
FGY120T65SPD_F085
仓库库存编号：
FGY120T65SPD_F085-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT75N10L2
仓库库存编号：
IXTT75N10L2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30P3
仓库库存编号：
IXFX120N30P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MODULE SPM 600V 10A SPM55
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600V 10A 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm)
型号：
FNA51060T3
仓库库存编号：
FNA51060T3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50P
仓库库存编号：
IXFX64N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 10A DPAK
型号：
CSICD10-1200 TR13 PBFREE
仓库库存编号：
CSICD10-1200 TR13 PBFREECT-ND
别名：CSICD10-1200 TR13 PBFREECT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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