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Microsemi Corporation
IGBT 600V 56A 250W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GP60BG
仓库库存编号：
APT15GP60BG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 25A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
型号：
FST50100
仓库库存编号：
FST50100-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 43A 174W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT20GT60BRG
仓库库存编号：
APT20GT60BRG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
详细描述：IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-3P
型号：
RJH1CV7DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH1CV7DPK-00#T0-ND
别名：RJH1CV7DPK00T0
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH26N60EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH26N60EF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 15A TO247-3L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
型号：
STGWA15S120DF3
仓库库存编号：
497-15626-5-ND
别名：497-15626-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO-247
详细描述：IGBT 650V 70A 273W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4750DPBF
仓库库存编号：
IRGP4750DPBF-ND
别名：SP001546176
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
详细描述：IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-3P
型号：
RJH60F6DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH60F6DPK-00#T0-ND
别名：RJH60F6DPK00T0
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
SCHOTTKY DIODE 600V 20A TO-247-2
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 58A（DC） TO-247-2
型号：
GP2D020A060B
仓库库存编号：
1560-1238-5-ND
别名：1560-1238-5
产品分类：分立半导体产品,
不适用
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STMicroelectronics
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT80H65DFB
仓库库存编号：
497-14234-5-ND
别名：497-14234-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 120A 469W TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW80H65FB
仓库库存编号：
497-15134-5-ND
别名：497-15134-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2024ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2024ENGRCT-ND
别名：917-EPC2024ENGRCT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-218
型号：
JAN2N2222A
仓库库存编号：
1086-2323-ND
别名：1086-2323
1086-2323-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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STMicroelectronics
MOD IGBT SLLIMM NANO 26-NDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 3A 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm)
型号：
STGIPN3H60-H
仓库库存编号：
497-13869-5-ND
别名：497-13869-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247-3
型号：
STGWA25H120DF2
仓库库存编号：
497-15548-5-ND
别名：497-15548-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N50P3
仓库库存编号：
IXFQ50N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 96A 416W TO-247
详细描述：IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT54GA60B
仓库库存编号：
APT54GA60B-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GP90BDQ1G
仓库库存编号：
APT15GP90BDQ1G-ND
别名：APT15GP90BDQ1GMI
APT15GP90BDQ1GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 100A 330W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 100A 330W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP4660D-EPBF
仓库库存编号：
IRGP4660D-EPBF-ND
别名：IRGP4660DEPBF
SP001548232
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE ARRAY GP 600V 30A 3TOPI
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 30A Through Hole TOP-3 Insulated
型号：
STTH3006TPI
仓库库存编号：
497-4410-5-ND
别名：497-4410-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 5A TO-220AC
型号：
GB05SLT12-220
仓库库存编号：
1242-1128-ND
别名：1242-1128
GB05SLT12220
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH80N25X3
仓库库存编号：
IXFH80N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 25A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW25S120DF3
仓库库存编号：
497-15627-5-ND
别名：497-15627-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
JANTXV1N757A-1
仓库库存编号：
1086-15592-ND
别名：1086-15592-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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