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分立半导体产品
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IXYS
THYRISTOR PHASE 1400V TO-247AD
详细描述：SCR 1400V 49A Standard Recovery Through Hole TO-247AD
型号：
CS30-14IO1
仓库库存编号：
CS30-14IO1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ28N60P3
仓库库存编号：
IXFQ28N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N3673AR
仓库库存编号：
1242-1055-ND
别名：1242-1055
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-247
型号：
FDH047AN08A0
仓库库存编号：
FDH047AN08A0FS-ND
别名：FDH047AN08A0-ND
FDH047AN08A0FS
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
STB28N60DM2
仓库库存编号：
497-16349-1-ND
别名：497-16349-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
型号：
TK20C60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK20C60WS1VQ-ND
别名：TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH14N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
SCHOTTKY DIODE 1200V 8A TO-220-2
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 24A（DC） TO-220-2
型号：
GP2D008A120A
仓库库存编号：
1560-1234-5-ND
别名：1560-1234-5
产品分类：分立半导体产品,
不适用
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA90N15_F109
仓库库存编号：
FQA90N15_F109-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
详细描述：IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-247A
型号：
RJH60F6BDPQ-A0#T0
仓库库存编号：
RJH60F6BDPQ-A0#T0-ND
别名：RJH60F6BDPQA0T0
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH48N60C3
仓库库存编号：
IXGH48N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
详细描述：IGBT Trench 600V 60A 41.2W Through Hole TO-3PFM
型号：
RJP60F4DPM-00#T1
仓库库存编号：
RJP60F4DPM-00#T1-ND
别名：RJP60F4DPM00T1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
型号：
1N3889
仓库库存编号：
1242-1048-ND
别名：1242-1048
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220D-A1
型号：
2SK3892
仓库库存编号：
2SK3892-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MODULE SPM 500V 1.1A SPM23BD
详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1.1A 23-PowerSMD Module, Gull Wing
型号：
FSB50250US
仓库库存编号：
FSB50250USCT-ND
别名：FSB50250USCT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH21N60EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 80A 395W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IKW75N65ES5XKSA1
仓库库存编号：
IKW75N65ES5XKSA1-ND
别名：SP001319684
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
详细描述：IGBT Trench 1200V 60A 290W Through Hole TO-3P
型号：
RJH1CV6DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH1CV6DPK-00#T0-ND
别名：RJH1CV6DPK00T0
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-247
详细描述：IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
型号：
RJH60D7BDPQ-E0#T2
仓库库存编号：
RJH60D7BDPQ-E0#T2-ND
别名：RJH60D7BDPQE0T2
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP80N075L2
仓库库存编号：
IXTP80N075L2-ND
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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Texas Instruments
DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V 16SOIC
详细描述：Diode Array 4 Independent Schottky 3A (DC) Surface Mount 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
型号：
UC3611DW
仓库库存编号：
296-11233-5-ND
别名：296-11233-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
SCR 30A 200V TOP3
详细描述：SCR 200V 30A Standard Recovery Through Hole TOP3
型号：
BTW68-200RG
仓库库存编号：
497-4185-5-ND
别名：497-4185-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ30N60X
仓库库存编号：
IXFQ30N60X-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 18.1A（DC） TO-252，（D-Pak）
型号：
LSIC2SD120C05
仓库库存编号：
F10086CT-ND
别名：F10086CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Sanken
TRANS 3NPN/3PNP DARL 12SIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 80V, 100V 5A 5W Surface Mount 12-SIP
型号：
SLA6022
仓库库存编号：
SLA6022-ND
别名：SLA6022 DK
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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