产品分类：分立半导体产品,
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Sanken
MOSFET 3N/3P-CH 500V 2.5A 12-SIP
详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 500V 2.5A Through Hole 12-SIP
型号：
SMA5133
仓库库存编号：
SMA5133-ND
别名：SMA5133 DK
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N60P
仓库库存编号：
IXFH26N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号：
VS-40HFR40
仓库库存编号：
40HFR40-ND
别名：*40HFR40
40HFR40
VS-40HFR40-ND
VS40HFR40
VS40HFR40-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK35A65W,S5X
仓库库存编号：
TK35A65WS5X-ND
别名：TK35A65W,S5X(M
TK35A65W,S5X-ND
TK35A65WS5X
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 110A 446W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT50GT60BRG
仓库库存编号：
APT50GT60BRG-ND
别名：APT50GT60BRGMI
APT50GT60BRGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-247-3
型号：
APT30D100BCTG
仓库库存编号：
APT30D100BCTG-ND
别名：APT30D100BCTGMI
APT30D100BCTGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 4PNP 60V 0.05A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 50mA 60MHz 500mW Through Hole TO-116
型号：
MPQ3799
仓库库存编号：
MPQ3799-ND
产品分类：分立半导体产品,
库存产品核实请求
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 63W（Tc） TO-220
型号：
IXTP20N65XM
仓库库存编号：
IXTP20N65XM-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号：
VS-1N1186RA
仓库库存编号：
1N1186RA-ND
别名：*1N1186RA
1N1186RA
VS-1N1186RA-ND
VS1N1186RA
VS1N1186RA-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA20N65X
仓库库存编号：
IXTA20N65X-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 650V 134A 595W TO-247
详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247
型号：
APT70GR65B
仓库库存编号：
APT70GR65B-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH20N65X
仓库库存编号：
IXTH20N65X-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 43A 174W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT20GT60BRDQ1G
仓库库存编号：
APT20GT60BRDQ1G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOD IGBT SLLIMM NANO 26-NDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 3A 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm)
型号：
STGIPN3H60T-H
仓库库存编号：
497-15126-5-ND
别名：497-15126-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 70A DO-203AB
型号：
VS-70HFR10
仓库库存编号：
70HFR10-ND
别名：*70HFR10
70HFR10
VS-70HFR10-ND
VS70HFR10
VS70HFR10-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 78A 337W TO-247
详细描述：IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT43GA90B
仓库库存编号：
APT43GA90B-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT140N10P
仓库库存编号：
IXTT140N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 63A 290W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT35GA90BD15
仓库库存编号：
APT35GA90BD15-ND
别名：APT35GA90BD15MI
APT35GA90BD15MI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 60A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号：
VS-1N2128A
仓库库存编号：
VS-1N2128AGI-ND
别名：*1N2128A
1N2128A
1N2128A-ND
VS-1N2128A-ND
VS-1N2128AGI
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1A
型号：
JAN1N5619
仓库库存编号：
1086-2110-ND
别名：1086-2110
1086-2110-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 54A 250W SOT227
详细描述：IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT30GS60BRDQ2G
仓库库存编号：
APT30GS60BRDQ2G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT37F50B
仓库库存编号：
APT37F50B-ND
别名：APT37F50BMI
APT37F50BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 35A DO-203AB
型号：
VS-1N1190
仓库库存编号：
VS-1N1190-ND
别名：*1N1190
1N1190
1N1190-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 65A 290W TO-247
详细描述：IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT36GA60BD15
仓库库存编号：
APT36GA60BD15-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号：
VS-1N1190A
仓库库存编号：
VS-1N1190A-ND
别名：*1N1190A
1N1190A
1N1190A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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