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Sanken
TRANS PNP 230V 15A TO3P
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 20MHz 160W Through Hole TO-3P
型号：
2SA2151A
仓库库存编号：
2SA2151A-ND
别名：2SA2151A DK
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 79W TO-3PF
详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 115W Through Hole TO-3PF
型号：
FGAF40N60SMD
仓库库存编号：
FGAF40N60SMD-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 4PNP 40V
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 125MHz 3W Through Hole TO-116
型号：
MPQ3467
仓库库存编号：
MPQ3467-ND
别名：MPQ3467 PBFREE
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 1.8V 500MW DO213AA
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号：
CDLL4614
仓库库存编号：
CDLL4614-ND
别名：1086-1297
1086-1297-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW33N60DM2
仓库库存编号：
497-16353-5-ND
别名：497-16353-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY02N50D
仓库库存编号：
IXTY02N50D-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Sanken
TRANS 6NPN DARL 120V 3A 15SIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 6 NPN Darlington 120V 3A 4W Through Hole 15-SIP
型号：
SMA4038
仓库库存编号：
SMA4038-ND
别名：SMA4038 DK
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6012FNX
仓库库存编号：
R6012FNX-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N3891R
仓库库存编号：
VS-1N3891RGI-ND
别名：*1N3891R
1N3891R
1N3891R-ND
VS-1N3891R-ND
VS-1N3891RGI
VS1N3891R
VS1N3891R-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1000V 60A 412W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW30N100TFKSA1
仓库库存编号：
IGW30N100TFKSA1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） TO-3PF
型号：
R6015ANZC8
仓库库存编号：
R6015ANZC8-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N1204A
仓库库存编号：
VS-1N1204A-ND
别名：*1N1204A
1N1204A
1N1204A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Sanken
MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP
详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 35V 8A Through Hole 15-SIP
型号：
SLA5212
仓库库存编号：
SLA5212-ND
别名：SLA5212 DK
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-220
型号：
STP28N60DM2
仓库库存编号：
497-16348-5-ND
别名：497-16348-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF28N60DM2
仓库库存编号：
497-16351-5-ND
别名：497-16351-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-12F60
仓库库存编号：
12F60-ND
别名：*12F60
12F60
VS-12F60-ND
VS12F60
VS12F60-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-220-3
型号：
IXTP32N65X
仓库库存编号：
IXTP32N65X-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
ALD1101ASAL
仓库库存编号：
1014-1001-ND
别名：1014-1001
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
型号：
IXTP32N65XM
仓库库存编号：
IXTP32N65XM-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP43N60DM2
仓库库存编号：
497-16342-5-ND
别名：497-16342-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3PF
型号：
R6025FNZC8
仓库库存编号：
R6025FNZC8-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1-PH 400V 25A GBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
VS-GBPC2504W
仓库库存编号：
GBPC2504W-ND
别名：GBPC2504W
VS-GBPC2504W-ND
VSGBPC2504W
VSGBPC2504W-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 68V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
型号：
JANTX1N981B-1
仓库库存编号：
1086-15482-ND
别名：1086-15482-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 36A 250W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GT120BRG
仓库库存编号：
APT15GT120BRG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Sanken
TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 8A 50MHz 5W Through Hole 12-SIP
型号：
SLA6024
仓库库存编号：
SLA6024-ND
别名：SLA6024 DK
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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