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IXYS
IGBT 1200V 100A 750W TO247AD
详细描述：IGBT 1200V 100A 750W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH50N120C3
仓库库存编号：
IXYH50N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 85A DO-203AB
型号：
VS-85HF120
仓库库存编号：
85HF120-ND
别名：*85HF120
85HF120
VS-85HF120-ND
VS85HF120
VS85HF120-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH24N90P
仓库库存编号：
IXFH24N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A D-5B
型号：
1N5551US
仓库库存编号：
1N5551US-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK120N25P
仓库库存编号：
IXTK120N25P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX80N60P3
仓库库存编号：
IXFX80N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
详细描述：IGBT 1700V 16A 150W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号：
IXBH16N170A
仓库库存编号：
IXBH16N170A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 98A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK98N50P3
仓库库存编号：
IXFK98N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 70A DO-203AB
型号：
VS-70HF120
仓库库存编号：
70HF120-ND
别名：*70HF120
70HF120
VS-70HF120-ND
VS70HF120
VS70HF120-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 16A 150W TO268
详细描述：IGBT 1700V 16A 150W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT16N170A
仓库库存编号：
IXBT16N170A-ND
别名：Q2441898
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 125V 300MA D5D
详细描述：标准 表面贴装 二极管 300mA D-5D
型号：
JANTX1N6643US
仓库库存编号：
1086-15443-ND
别名：1086-15443-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 200V 25A D-63
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 200V 25A QC Terminal D-63
型号：
VS-26MT20
仓库库存编号：
VS-26MT20GI-ND
别名：*26MT20
26MT20
26MT20-ND
VS-26MT20-ND
VS-26MT20GI
VS26MT20
VS26MT20-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO247
详细描述：IGBT 1200V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH45N120
仓库库存编号：
IXGH45N120-ND
别名：Q2124563
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX160N30T
仓库库存编号：
IXFX160N30T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX102N65X2
仓库库存编号：
IXTX102N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK102N65X2
仓库库存编号：
IXTK102N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 8.2V 1W DO204AL
详细描述：Zener Diode 1W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
型号：
JANTX1N3042B-1
仓库库存编号：
1086-15294-ND
别名：1086-15294-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
IGBT 650V 310A 940W TO264
详细描述：IGBT PT 650V 310A 940W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK160N65B4
仓库库存编号：
IXXK160N65B4-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） D3 [S]
型号：
APT47N60SC3G
仓库库存编号：
APT47N60SC3G-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N120P
仓库库存编号：
IXFH16N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 94A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK94N50P2
仓库库存编号：
IXFK94N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TO264
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
型号：
APT100GN60LDQ4G
仓库库存编号：
APT100GN60LDQ4G-ND
别名：APT100GN60LDQ4GMI
APT100GN60LDQ4GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE FAST 1200V ECO-PAC1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 19A Chassis Mount ECO-PAC1
型号：
VBE17-12NO7
仓库库存编号：
VBE17-12NO7-ND
别名：VBE1712NO7
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
详细描述：IGBT 2500V 5.5A 32W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT2N250
仓库库存编号：
IXGT2N250-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 4.3V 500MW DO213AA
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号：
JANTX1N4623UR-1
仓库库存编号：
1086-1020-ND
别名：1086-1020
1086-1020-MIL
JANTX1N4623UR1
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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