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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A（DC） TO-220-2L
型号：
TRS10E65C,S1Q
仓库库存编号：
TRS10E65CS1Q-ND
别名：TRS10E65C,S1Q(S
TRS10E65C,S1Q-ND
TRS10E65CS1Q
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N60P3
仓库库存编号：
IXFX64N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 20A Through Hole TO-247-2
型号：
APT30DS60BG
仓库库存编号：
APT30DS60BG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR16P60P
仓库库存编号：
IXTR16P60P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR48P20P
仓库库存编号：
IXTR48P20P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK64N60P3
仓库库存编号：
IXFK64N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号：
VS-1N2138A
仓库库存编号：
VS-1N2138AGI-ND
别名：*1N2138A
1N2138A
1N2138A-ND
VS-1N2138A-ND
VS-1N2138AGI
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 320W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PH42UDPBF
仓库库存编号：
IRG7PH42UDPBF-ND
别名：SP001537274
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 240A 880W PLUS247
详细描述：IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXXX110N65B4H1
仓库库存编号：
IXXX110N65B4H1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 10V 1.5W D5A
详细描述：Zener Diode 1.5W ±5% Surface Mount D-5A
型号：
1N4465US
仓库库存编号：
1N4465US-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1A
型号：
JAN1N5622
仓库库存编号：
1086-2114-ND
别名：1086-2114
1086-2114-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH40N30
仓库库存编号：
IXTH40N30-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50L2
仓库库存编号：
IXTH30N50L2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH64N65X
仓库库存编号：
IXTH64N65X-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 6A 75W TO268
详细描述：IGBT NPT 1700V 6A 75W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT6N170A
仓库库存编号：
IXGT6N170A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 240A 880W TO264
详细描述：IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK110N65B4H1
仓库库存编号：
IXXK110N65B4H1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 70A DO-203AB
型号：
VS-70HFL60S02
仓库库存编号：
VS-70HFL60S02GI-ND
别名：*70HFL60S02
70HFL60S02
70HFL60S02-ND
VS-70HFL60S02-ND
VS-70HFL60S02GI
VS70HFL60S02
VS70HFL60S02-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 800V 50A SCVB
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 50A QC Terminal SCVB
型号：
SC50VB80-G
仓库库存编号：
641-1392-ND
别名：641-1392
SC50VB80G
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 42A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT42F50B
仓库库存编号：
APT42F50B-ND
别名：APT42F50BMP
APT42F50BMP-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-268
型号：
IXFT24N90P
仓库库存编号：
IXFT24N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 33V 5W D5B
详细描述：Zener Diode 5W ±5% Surface Mount D-5B
型号：
1N4970US
仓库库存编号：
1N4970US-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264
型号：
APT56M50L
仓库库存编号：
APT56M50L-ND
别名：APT56M50LMI
APT56M50LMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 379W TO264
详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole
型号：
APT35GN120L2DQ2G
仓库库存编号：
APT35GN120L2DQ2G-ND
别名：APT35GN120L2DQ2GMI
APT35GN120L2DQ2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 170A 750W TO247
详细描述：IGBT PT 650V 170A 750W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH75N65C3H1
仓库库存编号：
IXYH75N65C3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK64N50P
仓库库存编号：
IXFK64N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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