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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC
详细描述：标准 通孔 二极管 60A TO-247AC
型号：
VS-60APU06PBF
仓库库存编号：
VS-60APU06PBF-ND
别名：60APU06PBF
60APU06PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT38N60BC6
仓库库存编号：
APT38N60BC6-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1200V 25A D-34A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 25A QC Terminal D-34
型号：
VS-26MB120A
仓库库存编号：
26MB120A-ND
别名：*26MB120A
26MB120A
VS-26MB120A-ND
VS26MB120A
VS26MB120A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-268
型号：
IXFT42N50P2
仓库库存编号：
IXFT42N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO247
详细描述：IGBT PT 1200V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH32N120A3
仓库库存编号：
IXGH32N120A3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1A D-5A
型号：
1N5614US
仓库库存编号：
1N5614US-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号：
1N5523BUR-1
仓库库存编号：
1N5523BUR-1-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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IXYS
RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 28A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FUO22-16N
仓库库存编号：
FUO22-16N-ND
别名：FUO2216N
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 60A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号：
VS-1N2129A
仓库库存编号：
VS-1N2129A-ND
别名：*1N2129A
1N2129A
1N2129A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号：
VS-1N1190RA
仓库库存编号：
VS-1N1190RAGI-ND
别名：*1N1190RA
1N1190RA
1N1190RA-ND
VS-1N1190RA-ND
VS-1N1190RAGI
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH15N50L2
仓库库存编号：
IXTH15N50L2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 116A 380W TO247AD
详细描述：IGBT PT 650V 116A 380W Through Hole TO-247 (IXXH)
型号：
IXXH60N65B4H1
仓库库存编号：
IXXH60N65B4H1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH52N50P2
仓库库存编号：
IXFH52N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-203AA
型号：
VS-16FL100S05
仓库库存编号：
VS-16FL100S05GI-ND
别名：*16FL100S05
16FL100S05
16FL100S05-ND
VS-16FL100S05-ND
VS-16FL100S05GI
VS16FL100S05
VS16FL100S05-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
型号：
TK31N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK31N60WS1VF-ND
别名：TK31N60W,S1VF(S
TK31N60WS1VF
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak
型号：
APT25GN120SG
仓库库存编号：
APT25GN120SG-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 80A 535W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
型号：
NGTB40N120FL2WG
仓库库存编号：
NGTB40N120FL2WGOS-ND
别名：NGTB40N120FL2WGOS
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50
仓库库存编号：
IXFH21N50-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH24N80P
仓库库存编号：
IXFH24N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 1A
型号：
1N3611
仓库库存编号：
1N3611-ND
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 85A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 85A DO-203AB
型号：
VS-85HF20
仓库库存编号：
85HF20-ND
别名：*85HF20
85HF20
VS-85HF20-ND
VS85HF20
VS85HF20-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH21N50
仓库库存编号：
IXTH21N50-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT25GT120BRDQ2G
仓库库存编号：
APT25GT120BRDQ2G-ND
别名：APT25GT120BRDQ2GMI
APT25GT120BRDQ2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 70A DO-203AB
型号：
VS-71HF40
仓库库存编号：
VS-71HF40GI-ND
别名：*71HF40
71HF40
71HF40-ND
VS-71HF40-ND
VS-71HF40GI
VS71HF40
VS71HF40-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-268
型号：
IXFT52N50P2
仓库库存编号：
IXFT52N50P2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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