产品分类：分立半导体产品,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26N50P
仓库库存编号：
IXTQ26N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N10T
仓库库存编号：
IXTQ200N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号：
VS-40HF10
仓库库存编号：
VS-40HF10GI-ND
别名：*40HF10
40HF10
40HF10-ND
VS-40HF10-ND
VS-40HF10GI
VS40HF10
VS40HF10-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 25A DO-203AA
型号：
VS-25FR60
仓库库存编号：
25FR60-ND
别名：*25FR60
25FR60
VS-25FR60-ND
VS25FR60
VS25FR60-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO247AD
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
型号：
DSSK70-008A
仓库库存编号：
DSSK70-008A-ND
别名：DSSK70008A
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 16A DO-203AA
型号：
VS-16F120
仓库库存编号：
16F120-ND
别名：*16F120
16F120
VS-16F120-ND
VS16F120
VS16F120-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP33N60E-GE3-ND
别名：SIHP33N60EGE3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT8M100B
仓库库存编号：
APT8M100B-ND
别名：APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO247
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW30NC60KD
仓库库存编号：
497-7485-5-ND
别名：497-7485-5
STGW30NC60KD-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Broadcom Limited
FET RF 7V 2GHZ 8LPCC
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 4.5V 280mA 2GHz 15dB 29dBm 8-LPCC (2x2)
型号：
ATF-501P8-BLK
仓库库存编号：
516-2690-ND
别名：516-2690
ATF-501P8-BLK-ND
ATF501P8BLK
Q2348592B
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1-PH 800V 35A GBPC-A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A QC Terminal GBPC-A
型号：
VS-GBPC3508A
仓库库存编号：
GBPC3508A-ND
别名：*GBPC3508A
GBPC3508A
VS-GBPC3508A-ND
VSGBPC3508A
VSGBPC3508A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1-PH 1000V 35A GBPCA
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A QC Terminal GBPC-A
型号：
VS-GBPC3510A
仓库库存编号：
GBPC3510A-ND
别名：*GBPC3510A
GBPC3510A
VS-GBPC3510A-ND
VSGBPC3510A
VSGBPC3510A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 3W（Ta），65W（Tc） TO-3PF-3
型号：
2SK3748-1E
仓库库存编号：
2SK3748-1EOS-ND
别名：2SK3748-1E-ND
2SK3748-1EOS
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 100V 35A D-34A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A QC Terminal D-34
型号：
VS-36MB10A
仓库库存编号：
VS-36MB10AGI-ND
别名：*36MB10A
36MB10A
36MB10A-ND
VS-36MB10A-ND
VS-36MB10AGI
VS36MB10A
VS36MB10A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N50P3
仓库库存编号：
IXFH26N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-203AA
型号：
VS-1N3673A
仓库库存编号：
VS-1N3673A-ND
别名：*1N3673A
1N3673A
1N3673A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Sanken
TRANS 2NPN DARL 60V 6A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN Darlington (Dual) 60V 6A 3.2W Through Hole 10-SIP
型号：
STA460C
仓库库存编号：
STA460C-ND
别名：STA460C DK
产品分类：分立半导体产品,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA6N100D2
仓库库存编号：
IXTA6N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
型号：
JANTX1N750A-1
仓库库存编号：
1086-15452-ND
别名：1086-15452-MIL
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-247-3
型号：
APT30D60BCTG
仓库库存编号：
APT30D60BCTG-ND
别名：APT30D60BCTGMI
APT30D60BCTGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 130A 600W TO220
详细描述：IGBT PT 650V 130A 600W Through Hole TO-220
型号：
IXYP50N65C3
仓库库存编号：
IXYP50N65C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 180W TO247
详细描述：IGBT PT 1200V 40A 180W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH20N120A3
仓库库存编号：
IXGH20N120A3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 35A DO-203AB
型号：
VS-1N1183
仓库库存编号：
1N1183-ND
别名：*1N1183
1N1183
VS-1N1183-ND
VS1N1183
VS1N1183-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50P
仓库库存编号：
IXFH30N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N50D2
仓库库存编号：
IXTH6N50D2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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