以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S4L06ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M34-100EX
  仓库库存编号：1727-2579-1-ND
  别名：1727-2579-1
  568-13023-1
  568-13023-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M23-80EX
  仓库库存编号：1727-2575-1-ND
  别名：1727-2575-1
  568-13019-1
  568-13019-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  TRANS PNP 300V 0.05A SOT89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 50mA 60MHz 1.1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BF621,115
  仓库库存编号：1727-5474-1-ND
  别名：1727-5474-1
  568-6945-1
  568-6945-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ120P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_55/60V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA2
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
  别名：IPD15N06S2L64ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M9R9-60EX
  仓库库存编号：1727-2566-1-ND
  别名：1727-2566-1
  568-13010-1
  568-13010-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• WeEn Semiconductors
  THYRISTOR 800V 12A DPAK
  详细描述：SCR 800V 12A Standard Recovery Surface Mount DPAK
  
  型号：BT151S-800R,118
  仓库库存编号：1740-1072-1-ND
  别名：1740-1072-1
  568-11042-1
  568-11042-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• WeEn Semiconductors
  THYRISTOR 800V 12A DPAK
  详细描述：SCR 800V 12A Standard Recovery Surface Mount DPAK
  
  型号：BT151S-800R,118
  仓库库存编号：1740-1072-6-ND
  别名：1740-1072-6
  568-11042-6
  568-11042-6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S4L23ATMA2
  仓库库存编号：IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
  别名：IPD30N06S4L23ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），90A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8324TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8324TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8324TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N03LSGINCT
  BSZ100N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N03MSGINCT
  BSZ100N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.6W（Ta） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM9391TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM9391TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM9391TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD26N06S2L35ATMA2
  仓库库存编号：IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
  别名：IPD26N06S2L35ATMA2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  PBSS4140DPN/SC-74/REEL 13" Q1/
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array Surface Mount SOT-457
  
  型号：PBSS4140DPNF
  仓库库存编号：1727-2759-1-ND
  别名：1727-2759-1
  568-13326-1
  568-13326-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7526D1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7526D1TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 490mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB30XN,115
  仓库库存编号：1727-1328-1-ND
  别名：1727-1328-1
  568-10756-1
  568-10756-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ060NE2LS
  仓库库存编号：BSZ060NE2LSCT-ND
  别名：BSZ060NE2LSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9388TRPBF
  仓库库存编号：IRF9388TRPBFCT-ND
  别名：IRF9388TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP322PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP322PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP322PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y38-100EX
  仓库库存编号：1727-1111-1-ND
  别名：1727-1111-1
  568-10266-1
  568-10266-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP125H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP125H6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  TRANS PNP 250V 0.1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 100mA 60MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：BF723,115
  仓库库存编号：1727-5414-1-ND
  别名：1727-5414-1
  568-6859-1
  568-6859-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索