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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 10A（DC） TO-252-2L（DPAK）
型号：
GP2D010A120C
仓库库存编号：
1560-1045-5-ND
别名：1560-1045-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A TO-220-2
型号：
GP2D010A120A
仓库库存编号：
1560-1043-5-ND
别名：1560-1043-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 50A 375W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247 Long Leads
型号：
STGWA25M120DF3
仓库库存编号：
497-15136-5-ND
别名：497-15136-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IFPS MODULES 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IKCM10L60HAXKMA1
仓库库存编号：
IKCM10L60HAXKMA1-ND
别名：SP001370922
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 50mA 1.96GHz 18dB 4W PLD-1.5
型号：
MW6S004NT1
仓库库存编号：
MW6S004NT1CT-ND
别名：MW6S004NT1CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） TO-220F-3
型号：
FCPF36N60NT
仓库库存编号：
FCPF36N60NT-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG47N60E-E3
仓库库存编号：
SIHG47N60E-E3-ND
别名：SIHG47N60EE3
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 40A HS TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247
型号：
STGW40H120F2
仓库库存编号：
497-14716-5-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB25N80K5
仓库库存编号：
497-13640-1-ND
别名：497-13640-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IFPS MODULES 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 15A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IKCM15H60HAXKMA1
仓库库存编号：
IKCM15H60HAXKMA1-ND
别名：SP001247206
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 70A DO-5
型号：
FR70GR02
仓库库存编号：
1242-1091-ND
别名：1242-1091
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH PW-X
详细描述：RF Mosfet N-Channel 7.2V 750mA 520MHz 10.8dB 12W PW-X
型号：
RFM12U7X(TE12L,Q)
仓库库存编号：
RFM12U7X(TE12LQ)CT-ND
别名：RFM12U7X(TE12LQ)CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 400V 30A DO5
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 30A DO-5
型号：
FR30GR02
仓库库存编号：
1242-1047-ND
别名：1242-1047
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 400V 30A DO5
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 30A DO-5
型号：
FR30G02
仓库库存编号：
1242-1034-ND
别名：1242-1034
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 6A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IGCM06F60GAXKMA1
仓库库存编号：
IGCM06F60GAXKMA1-ND
别名：SP001247004
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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EPC
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2023ENG
仓库库存编号：
917-EPC2023ENG-ND
别名：917-EPC2023ENG
EPC2023ENGRC2
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
SCR 1000V 50A 80MA TOP3
详细描述：SCR 1000V 50A Standard Recovery Through Hole TOP3
型号：
BTW69-1000RG
仓库库存编号：
497-12450-5-ND
别名：497-12450-5
BTW69-1000RG-ND
BTW691000RG
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 54A（Tc） 481W（Tc） TO-247 长引线
型号：
FCH077N65F_F155
仓库库存编号：
FCH077N65F_F155-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
详细描述：RF Mosfet LDMOS 12.5V 50mA 520MHz 15dB 3W PLD-1.5
型号：
MRF1513NT1
仓库库存编号：
MRF1513NT1CT-ND
别名：MRF1513NT1CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 39V 500MW DO213AA
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号：
JANTX1N975BUR-1
仓库库存编号：
1086-1074-ND
别名：1086-1074
1086-1074-MIL
JANTX1N975BUR1
产品分类：分立半导体产品,
含铅
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NXP USA Inc.
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 150mA 175MHz 13dB 8W PLD-1.5
型号：
MRF1511NT1
仓库库存编号：
MRF1511NT1CT-ND
别名：MRF1511NT1CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IFPS MODULES 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 15A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IKCM15H60GAXKMA2
仓库库存编号：
IKCM15H60GAXKMA2-ND
别名：SP001247204
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IGCM10F60GAXKMA1
仓库库存编号：
IGCM10F60GAXKMA1-ND
别名：SP001247016
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOD SPM 600V 3.1A SPM5N-023
详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 600V 3.1A 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm)
型号：
FSB50660SFT
仓库库存编号：
FSB50660SFT-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 160A 714W Through Hole PG-TO247-3-46
型号：
IKQ100N60TXKSA1
仓库库存编号：
IKQ100N60TXKSA1-ND
别名：SP001138296
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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