以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  TRANS NPN 150V 0.3A TO-39
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 150MHz 1W Through Hole TO-39
  
  型号：2N3501
  仓库库存编号：2N3501CS-ND
  别名：2N3501 LEAD FREE
  2N3501CS
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
  详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 6A DO-4
  
  型号：FR6A02
  仓库库存编号：FR6A02GN-ND
  别名：FR6A02GN
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 22A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0120090J-TR
  仓库库存编号：C3M0120090J-TRCT-ND
  别名：C3M0120090J-TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc）
  
  型号：SUP85N10-10-GE3
  仓库库存编号：SUP85N10-10-GE3CT-ND
  别名：SUP85N10-10-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60
  仓库库存编号：FCH104N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP104N60F
  仓库库存编号：FCP104N60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 2.4W（Ta），227W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86135
  仓库库存编号：FDB86135CT-ND
  别名：FDB86135CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH260N6F6-2
  仓库库存编号：497-11217-1-ND
  别名：497-11217-1
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 100A 285W TO247
  详细描述：IGBT 600V 100A 285W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGW50NC60W
  仓库库存编号：497-7016-5-ND
  别名：497-7016-5
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 23A
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP220N80
  仓库库存编号：FCP220N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 30A 259W
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA15M120DF3
  仓库库存编号：497-15059-5-ND
  别名：497-15059-5
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 25A TO218
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 25A Through Hole TO-218 Isolated Tab
  
  型号：HQ6025KH5TP
  仓库库存编号：HQ6025KH5TP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 36A 88W TO3PF
  详细描述：IGBT 600V 36A 88W Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGFW35HF60W
  仓库库存编号：497-13270-5-ND
  别名：497-13270-5
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB46N30M5
  仓库库存编号：497-14964-1-ND
  别名：497-14964-1
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB110N65F
  仓库库存编号：FCB110N65FCT-ND
  别名：FCB110N65FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC SMART POWER MOD 3A SPM23-AA
  详细描述：Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 1.5A 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm)
  
  型号：FSB50450
  仓库库存编号：FSB50450-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4069D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4069D-EPBF-ND
  别名：SP001534110
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
  详细描述：RF Mosfet N-Channel 9.6V 50mA 520MHz 11.7dB 7.5W PW-X
  
  型号：2SK3075(TE12L,Q)
  仓库库存编号：2SK3075(TE12LQ)CT-ND
  别名：2SK3075(TE12LQ)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 64A 417W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 64A 417W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40N120ANTU
  仓库库存编号：FGH40N120ANTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2010
  仓库库存编号：917-1016-1-ND
  别名：917-1016-1
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  DIODE GEN PURP 75V 50MA DO7
  详细描述：标准 通孔 二极管 50mA DO-7
  
  型号：1N34A BK
  仓库库存编号：1N34A BK-ND
  别名：1N34A BK PBFREE
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 6.2V 5% 0.5W DO-35
  详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
  
  型号：1N824-E3
  仓库库存编号：1N824-E3-ND
  别名：Q7619171A
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 12A（DC） TO-263-2
  
  型号：GP2D012A060D
  仓库库存编号：1560-1048-ND
  别名：1560-1048-1
  1560-1048-1-ND
  1560-1048-5
  1560-1048-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA80H65DFB
  仓库库存编号：497-16007-5-ND
  别名：497-16007-5
  STGWA80H65DFB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35
  详细描述：标准 通孔 二极管 150mA DO-35
  
  型号：JANTX1N3595-1
  仓库库存编号：1086-15174-ND
  别名：1086-15174
  1086-15174-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,
• 
  
  含铅
• 搜索