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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB11N60C3
仓库库存编号:
SPB11N60C3INCT-ND
别名:SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
型号:
SPB18P06P G
仓库库存编号:
SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S203T
仓库库存编号:
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名:SPB100N03S203XTINCT
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB17N80C3
仓库库存编号:
SPB17N80C3INCT-ND
别名:SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB12N50C3
仓库库存编号:
SPB12N50C3INCT-ND
别名:SPB12N50C3INCT
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB16N50C3
仓库库存编号:
SPB16N50C3INCT-ND
别名:SPB16N50C3INCT
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 45V 100A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Schottky 45V 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
SPB10045E3
仓库库存编号:
SPB10045E3MS-ND
别名:SPB10045E3MS
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 100V 160A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Schottky 100V 160A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
SPB160100E3
仓库库存编号:
SPB160100E3MS-ND
别名:SPB160100E3MS
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03
仓库库存编号:
SPB100N03S203INTR-ND
别名:SPB100N03S203INTR
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名:SPB100N03S2L-INTR
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号:
SPB100N03S2L03T-ND
别名:SP000013460
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2-03 G-ND
别名:SP000200140
SPB100N03S203GXT
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2-04
仓库库存编号:
SPB100N04S2-04-ND
别名:SP000013711
SPB100N04S204T
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N04S2L-03-ND
别名:SP000013712
SPB100N04S2L03T
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2-05-ND
别名:SP000013713
SPB100N06S205T
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2L-05-ND
别名:SP000013714
SPB100N06S2L05T
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2-07-ND
别名:SP000013715
SPB100N08S207T
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2L-07-ND
别名:SP000013716
SPB100N08S2L07T
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10
仓库库存编号:
SPB10N10-ND
别名:SP000013845
SPB10N10T
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10 G
仓库库存编号:
SPB10N10 G-ND
别名:SP000102168
SPB10N10GXT
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10L
仓库库存编号:
SPB10N10L-ND
别名:SP000013836
SPB10N10LT
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S203CTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S203CTMA1TR-ND
别名:SP000014263
SPB160N04S2-03
SPB160N04S2-03-ND
SPB160N04S203T
产品分类:分立半导体产品,搜索词:SPB1,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名:SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
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MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-3
型号:
SPB18P06P
仓库库存编号:
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别名:SP000012329
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